[实用新型]晶体振荡器性能检测仪有效
| 申请号： | 201420049560.1 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN203672998U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 吴建堂 | 申请（专利权）人： | 吴建堂 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 233000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体振荡器 性能 检测 | ||
1.一种晶体振荡器性能检测仪，它包括9V直流电源、多频振荡电路、倍压检波及滤波电路、直流放大及测试结果显示电路，其特征在于：
所述的多频振荡电路由被测晶体振荡器BC、电阻R1、NPN型晶体管BG1、电容C1、电容C2和电阻R2组成，NPN型晶体管BG1的基极接电阻R1的一端、电容C1的一端和被测晶体振荡器BC的一端，电阻R1的另一端和NPN型晶体管BG1的集电极接电路正极VCC，电容C1的另一端和NPN型晶体管BG1的发射极接电容C2的一端和电阻R2的一端，被测晶体振荡器BC的另一端和电容C2的另一端及电阻R2的另一端接电路地GND；
所述的倍压检波及滤波电路由电容C3、2只锗二极管D1～D2、电解电容C4和电容C5组成，2只锗二极管D1～D2选用的型号为2AP30E，NPN型晶体管BG1的发射极通过电容C3接锗二极管D1的负极和锗二极管D2的正极，锗二极管D2的负极接电解电容C4的正极和电容C5的一端，锗二极管D1的正极和电解电容C4的负极及电容C5的另一端接电路地GND；
所述的直流放大及测试结果显示电路由NPN型晶体管BG2和发光二极管LED组成，NPN型晶体管BG2的基极接锗二极管D2的负极，NPN型晶体管BG2的集电极接发光二极管LED的负极，发光二极管LED的正极接电路正极VCC，NPN型晶体管BG2的发射极接电路地GND；
所述的9V直流电源的正极与电路正极VCC相连，9V直流电源的负极与电路地GND相连。
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