[实用新型]一种提升器和干法刻蚀系统有效
申请号: | 201420040302.7 | 申请日: | 2014-01-22 |
公开(公告)号: | CN203721695U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 蒋会刚;肖红玺;刘华锋;谢海征;高建剑;蔡志光 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 刻蚀 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种提升器和干法刻蚀系统。
背景技术
目前在TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)的制造过程中,为了减少光刻次数,缩短生产周期,一般采用5次光刻工艺完成整个阵列制程。为了能够通过一次光刻完成对不同材料的图层的刻蚀,往往采用干法刻蚀来完成。干法刻蚀过程中的游离基的产生单元和反应腔在空间上是隔离的,使得膜层表面没有放电和具有一定能量的原子冲击,也没有暴露在紫外(UV)的辐射中,能够完成各向同性刻蚀,减少放电产物产生的缺陷。
现有的进行干法刻蚀的真空反应腔内包括用于支撑基板的提升器结构作为支架,组成示意图如图1所示,支架包括本体01和底座02。由于反应腔中需要进行等离子刻蚀,对设备元件特性要求较高,因此没有设置任何感应装置。但是反应腔具有一定的特殊性,由于其采用等离子体进行刻蚀,对设备内部件的材料具有一定的特殊性要求,无法安装基板监测传感器,所以在基板传送过程中由于无法及时监测停止设备经常发生基板破损的现象。
在加工过程中,基板在刻蚀完成之后由于气流的原因会产生位置偏移,提升器对基板进行支撑的过程中,如果基板在偏移状态下或者已经在破损的情况下,当提升器升起时,无法将基板完全顶起,此时由于没有任何感应装置,经常发生将基板顶碎的情况,或者是基板无法被完全支撑起来,只能被支撑起一部分,真空机械手伸入反应腔中将基板顶碎,同时折断提升器,甚至还会导致提升器的下部电极被损坏。多数提升器都会由于提升器的支撑头面积变小导致无法继续使用,却需要对整个提升器全部进行更换,而更换整个提升器的操作既不方便,又会加大设备的维护成本。因此现有的,在提升器运送基板的过程中无法对基板的状态和破损情况进行及时监测。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
针对上述缺陷,本实用新型要解决的技术问题是如何提供一种提升器,能够在基板偏移或者基板不完整的情况下及时有效地将其检测出来,避免基板被顶碎现象的发生,同时避免提升器设备受损。
(二)技术方案
为解决上述问题,本实用新型提供了一种提升器,除了包括本体和底座,还包括:支撑杆、支撑头、定位环、弹簧和接触环;
所述本体安装在所述底座上;
所述支撑杆穿过所述本体,所述支撑杆上端设置所述支撑头,所述支撑头的下端与所述本体的顶部之间有活动空间,所述支撑杆穿过设置于所述底座上的定位环,且所述支撑杆的底部设置有接触环,所述定位环与所述接触环之间设置有弹性件。
进一步地,所述接触环的下方还设置有压力传感器。
进一步地,所述支撑头可拆卸的安装于所述支撑杆上。
进一步地,所述底座上对应所述本体的位置设置有贯穿底座的第一空间部,所述定位环和所述弹性件嵌入在所述第一空间部内。
进一步地,所述定位环固定在所述支撑杆上,所述弹性件套装在所述支撑杆的外周,所述弹性件上端与所述固定环连接,所述弹性件下端固定在所述底座的底部。
进一步地,所述支撑杆的底部还穿过所述底座,伸入到所述底座下方的第二空间部,并与所述第二空间部中的接触环连接。
进一步地,所述压力传感器设置在所述第二空间部中,位于所述接触环的下方。
进一步地,所述弹性件为弹簧。
为解决上述问题,本实用新型还提供了一种干法刻蚀系统,包括反应腔,还包括至少一个提升单元,其中每个所述提升单元至少包括一个以上所述的提升器。
进一步地,所述反应腔中包括第一提升单元和第二提升单元,且第一提升单元位于反应腔的上方,第二提升单元位于反应腔的下方。
进一步地,所述提升单元中包括至少四个提升器,分布在反应腔的四个方向。
进一步地,任一提升单元中包括八个提升器,所述八个提升器在反应腔内部以矩形的四边为基准进行排布,矩形的每边分布有两个提升器;
位于矩形第一边和第三边的两组提升器分别用第一连接杆和第二连接杆连接,位于矩形第二边和第四边的两组提升器提分别用第三连接杆和第四连接杆连接,第一连接杆、第二连接杆分别与第三连接杆和第四连接杆相互垂直,且交叉连接形成四个交叉点。
进一步地,将相邻的两个交叉点连接形成检测点,包括第一检测点和第二检测点,具体包括:
第一连接杆、第二连接杆与第三连接杆形成的两个交叉点之间连接,形成第一检测点,第一连接杆、第二连接杆与第四连接杆形成的两个交叉点之间连接,形成第二检测点;或者
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造