[实用新型]一种提升器和干法刻蚀系统有效
申请号: | 201420040302.7 | 申请日: | 2014-01-22 |
公开(公告)号: | CN203721695U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 蒋会刚;肖红玺;刘华锋;谢海征;高建剑;蔡志光 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 刻蚀 系统 | ||
1.一种提升器,包括本体和底座,其特征在于,还包括:支撑杆、支撑头、定位环、弹簧和接触环;
所述本体安装在所述底座上;
所述支撑杆穿过所述本体,所述支撑杆上端设置所述支撑头,所述支撑头的下端与所述本体的顶部之间有活动空间,所述支撑杆穿过设置于所述底座上的定位环,且所述支撑杆的底部设置有接触环,所述定位环与所述接触环之间设置有弹性件。
2.如权利要求1所述的提升器,其特征在于,所述接触环的下方还设置有压力传感器。
3.如权利要求2所述的提升器,其特征在于,所述支撑头可拆卸的安装于所述支撑杆上。
4.如权利要求1所述的提升器,其特征在于,所述底座上对应所述本体的位置设置有贯穿底座的第一空间部,所述定位环和所述弹性件嵌入在所述第一空间部内。
5.如权利要求1或4所述的提升器,其特征在于,所述定位环固定在所述支撑杆上,所述弹性件套装在所述支撑杆的外周,所述弹性件上端与所述固定环连接,所述弹性件下端固定在所述底座的底部。
6.如权利要求3所述的提升器,其特征在于,所述支撑杆的底部还穿过所述底座,伸入到所述底座下方的第二空间部,并与所述第二空间部中的接触环连接。
7.如权利要求6所述的提升器,其特征在于,所述压力传感器设置在所述第二空间部中,位于所述接触环的下方。
8.如权利要求1所述的提升器,其特征在于,所述弹性件为弹簧。
9.一种干法刻蚀系统,包括反应腔,其特征在于,还包括至少 一个提升单元,其中每个所述提升单元至少包括一个权利要求1-8中任一项所述的提升器。
10.如权利要求9所述的干法刻蚀系统,其特征在于,所述反应腔中包括第一提升单元和第二提升单元,且第一提升单元位于反应腔的上方,第二提升单元位于反应腔的下方。
11.如权利要求9所述的干法刻蚀系统,其特征在于,所述提升单元中包括至少四个提升器,分布在反应腔的四个方向。
12.如权利要求11所述的干法刻蚀系统,其特征在于,任一提升单元中包括八个提升器,所述八个提升器在反应腔内部以矩形的四边为基准进行排布,矩形的每边分布有两个提升器;
位于矩形第一边和第三边的两组提升器分别用第一连接杆和第二连接杆连接,位于矩形第二边和第四边的两组提升器提分别用第三连接杆和第四连接杆连接,第一连接杆、第二连接杆分别与第三连接杆和第四连接杆相互垂直,且交叉连接形成四个交叉点。
13.如权利要求12所述的干法刻蚀系统,其特征在于,将相邻的两个交叉点连接形成检测点,包括第一检测点和第二检测点,具体包括:
第一连接杆、第二连接杆与第三连接杆形成的两个交叉点之间连接,形成第一检测点,第一连接杆、第二连接杆与第四连接杆形成的两个交叉点之间连接,形成第二检测点;或者
第三连接杆、第四连接杆与第一连接杆形成的两个交叉点之间连接,形成第一检测点,第三连接杆、第四连接杆与第二连接杆形成的两个交叉点之间连接,形成第二检测点。
14.如权利要求13所述的干法刻蚀系统,其特征在于,所述检测点的下方还设置有丝杠和定位传感器,定位传感器与丝杠设置在相同水平高度上,定位传感器用于感应提升器位置的上升和下降,丝杠与检测点连接。
15.如权利要求10所述的干法刻蚀系统,其特征在于,还包括:传输单元,设置在第二提升单元的下方,第二提升单元和传输单元之间还设置有阀门,且第二提升单元中提升器的底座设置在阀门的上方。
16.如权利要求15所述的干法刻蚀系统,其特征在于,所述传输单元中还设置有定位器,用于对基板位置进行校正,定位器的下方设置有第一支撑片。
17.如权利要求16所述的干法刻蚀系统,其特征在于,所述传输单元中还包括伸缩支臂,设置在第一支撑片的上方,用于基板从第一支撑片上方与反应腔的双向传输。
18.如权利要求15所述的干法刻蚀系统,其特征在于,还包括承载单元,且承载单元与传输单元之间还依次设置有真空阀门、第二支撑片以及第三支撑片。
19.如权利要求18所述的干法刻蚀系统,其特征在于,承载单元的下方还依次设置有大气门、大气传感器和连接单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造