[实用新型]基准电流生成器电路

权利要求书

1.一种基准电流生成器电路，其特征在于，包括： 

被配置为运载基准电流的基准电流路径； 

第一晶体管，耦合到所述基准电流路径并且被配置为运载所述基准电流的第一部分，所述第一晶体管具有被配置为由第一电压偏置的控制端子；以及 

第二晶体管，耦合到所述基准电流路径并且被配置为运载所述基准电流的第二部分，所述第二晶体管具有被配置为由第二电压偏置控制端子； 

其中所述第一晶体管和所述第二晶体管彼此并联耦合；并且 

其中在所述第一晶体管中流动的电流的温度系数与在所述第二晶体管中流动的电流的温度系数相反。 

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括被配置为生成带隙电压的带隙基准电压生成器电路，并且其中所述第一电压是从所述带隙电压得出的电压。 

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括被配置为生成第一电流的带隙基准电压生成器电路，并且包括被配置为通过跨二极管接法的晶体管传送所述第一电流而生成所述第一电压的电路。 

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，进一步包括镜像电路和附加电路，所述镜像电路被配置为生成从所述第一电流镜像反射的第二电流，所述附加电路被配置为通过跨电阻器传送所述第二电流而生成所述第二电压。 

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述附加电路进一步被配置为通过跨与所述电阻器串联耦合的二极管接法的晶体管传送所述第二电流而生成所述第二电压。 

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述二极管接法的晶体管具有耦合到所述第二晶体管的控制端子的控制端子。 

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括： 

运算放大器，具有第一输入端和第二输入端，所述第一输入端被配置为接收基准电压，所述第二输入端耦合到并联耦合的所述第一晶体管和所述第二晶体管；以及 

第三晶体管，具有耦合到所述运算放大器的输出端的控制端子，所述第三晶体管限定所述基准电流路径并且与并联耦合的所述第一晶体管和所述第二晶体管串联耦合。 

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述运算放大器被配置为向所述运算放大器的所述第二输入端供应附加电流，所述电路进一步包括电流源，所述电流源被配置为生成施加至所述运算放大器的所述第二输入端的偏移电流，所述偏移电流实质上等于所述附加电流。 

9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，进一步包括电流镜像电路，所述电流镜像电路包括所述电流源，所述电流镜像电路被配置为镜像反射从所述第一电压得出的电流以生成所述偏移电流。 

10.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电压从带隙电压得出并且所述第二电压从与绝对温度成比例的电压得出。 

11.一种基准电流生成器电路，其特征在于，包括： 

输出晶体管，被配置为运载基准电流； 

第一晶体管，与所述输出晶体管串联耦合以运载所述基准电流的第一部分； 

第二晶体管，与所述输出晶体管串联耦合以运载所述基准电流的第二部分； 

其中所述第一晶体管和所述第二晶体管彼此并联耦合； 

带隙基准电压生成器电路，被配置为生成带隙基准电压； 

第一偏置电路，被配置为生成用于向所述第一晶体管的控制端子施加的第一偏置电压，所述第一偏置电压从所述带隙基准电压得 出； 

第二偏置电路，被配置为生成用于向所述第二晶体管的控制端子施加的第二偏置电压，所述第二偏置电压根据从在所述带隙基准电压生成器电路中流动的电流镜像反射的、与绝对温度成比例的电流生成； 

其中在所述第一晶体管中流动的电流的温度系数与在所述第二晶体管中流动的电流的温度系数相反。 

12.根据权利要求11所述的电路，其特征在于，进一步包括： 

运算放大器，具有第一输入端和第二输入端，所述第一输入端被配置为接收基准电压，所述第二输入端耦合到并联耦合的所述第一晶体管和所述第二晶体管；并且 

其中所述输出晶体管具有耦合到所述运算放大器的输出端的控制端子。