[实用新型]提高压电极化强度的新型HEMT

权利要求书

1. 提高压电极化强度的新型HEMT，包括衬底、GaN缓冲层、In_0.2Ga_0.8N层、GaN层、隔离层AlN、Al_0.3Ga_0.7N层和GaN帽层；

其特征在于：所述的衬底上外延生长出缓冲层GaN；在GaN缓冲层上生长In_0.2Ga_0.8N层；接着在In_0.2Ga_0.8N层上面外延生长GaN沟道层；之后在沟道层GaN上外延生长隔离层AlN，主要是提高AlGaN/GaN结的势垒导带差；接着在隔离层AlN上外延生长非掺杂Al_0.3Ga_0.7N势垒层；在势垒层上生长非掺杂GaN帽层；最后在帽层上设置晶体管的栅极、源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的所述的提高压电极化强度的新型HEMT，其特征在于：衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。

3.根据权利要求1所述的所述的提高压电极化强度的新型HEMT，其特征在于：所述的GaN缓冲层为层厚度为2μm。

4.根据权利要求1所述的所述的提高压电极化强度的新型HEMT，其特征在于：所述的In_0.2Ga_0.8N层厚度为8nm。

5.根据权利要求1所述的所述的提高压电极化强度的新型HEMT，其特征在于：所述的GaN沟道层厚度为14nm。

6.根据权利要求1所述的所述的提高压电极化强度的新型HEMT，其特征在于：所述的AlN隔离层厚度为1nm。

7.根据权利要求1所述的所述的提高压电极化强度的新型HEMT，其特征在于：所述的Al_0.3Ga_0.7N势垒层厚度为20nm。

8.根据权利要求1所述的所述的提高压电极化强度的新型HEMT，其特征在于：所述的GaN帽层厚度为2nm。

9.根据权利要求1所述的所述的提高压电极化强度的新型HEMT，其特征在于：所述的栅极金属为Ni或者Au，源极和漏极金属为钛、铝、镍、金中的一种，选择器件的栅长为0.75μm，栅宽为100μm，栅极与源极、栅极与漏极之间距离都为1.2μm。