[实用新型]真空灭弧室用屏蔽罩封接结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种真空灭弧室的部件，属于电真空器件制造技术领域。

背景技术

12kV真空灭弧室常采用整体式瓷壳，这比两节式瓷壳降低了成本。整体式瓷壳的屏蔽罩封接是一项关键技术，直接影响着真空灭弧室的绝缘性能。目前屏蔽罩与瓷壳内壁直接封接是常见的一种屏蔽罩固定方式，但是由于热膨胀系数的差异，屏蔽罩与瓷壳封接后形成的应力较大；且由于瓷壳烧结过程形成的瓷壳椭圆度，使屏蔽罩不易放置到位而形成屏蔽罩偏斜的现象，进而影响到真空灭弧室的绝缘能力。

实用新型内容

为了解决现有屏蔽罩与瓷壳封接后形成的应力较大、影响真空灭弧室绝缘能力的问题，本实用新型提供了一种真空灭弧室用屏蔽罩封接结构。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

真空灭弧室用屏蔽罩封接结构，包括具有台阶的瓷壳，与瓷壳封接的屏蔽筒，所述屏蔽筒通过封接环与瓷壳封接；所述封接环为环形薄壁结构，且弯折形成一个以上的凸出件，该封接环内径与屏蔽筒外径相匹配、封接环外径则与瓷壳内径相匹配。

为了实现更好地封接效果，所述瓷壳上与封接环封接处设置为金属化结构。

作为一种优选，所述凸出件为六个，均匀分布于封接环上。

作为另一种优选，所述封接环由无氧铜材料构成，其厚度为0.5mm。

进一步，所述屏蔽筒为一体成型结构且由直筒、连接于直筒下方的收缩筒组成；所述该封接环内径与收缩筒外径相匹配。

更进一步地，所述直筒与收缩筒连接处以及直筒与收缩筒端口处结构均为圆弧形。

作为最好地封接方式，所述封接环底面与台阶顶部平面封接、封接环外壁与瓷壳内壁封接，封接环内壁与收缩筒钎焊。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

1、在本实用新型中屏蔽罩通过封接环能够可靠固定在瓷壳内壁上，封接应力小，屏蔽罩与瓷壳同轴度好，工频耐压和雷电冲击耐压能力高。

2、采用本实用新型结构的真空灭弧室开断性能可靠，电场分布均匀，使用寿命长。

3、本实用新型制造工艺简单，成本较低，且装配方便，适合推广应用。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

图2为图1中A处的放大结构示意图。

图3为本实用新型中封接环的结构示意图。

其中，图中附图标记对应的零部件名称为：

1－台阶，2－瓷壳，3－屏蔽筒，4－封接环，5－凸出件；

31－直筒，32－收缩筒。

具体实施方式

下面结合实施例及其附图，对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

真空灭弧室用屏蔽罩封接结构，包括有若干凸出件5的封接环4、具有台阶1的瓷壳2、与封接环配合的屏蔽筒3，该结构清楚显示于图1中。同时，图2所示，该封接环4位于台阶1的上方，通过封接环实现瓷壳2与屏蔽筒3之间的封接，有效减少屏蔽筒与瓷壳直接封接后形成的封接应力，进而使真空灭弧室的开断性能更加可靠，使真空灭弧室内电场分布更加均匀，增强耐雷电冲击能力，增加使用寿命。本实用新型中封接环的具体结构如下：

如图3所示，该封接环为薄壁结构，其弯折形成若干个凸出件5，在本实施例中优选为六个，均匀分布于封接环上。该封接环上弯折形成的凸出件5侧面与瓷壳内壁封接，该封接环底面与台阶1顶部平面封接，封接环内壁与屏蔽筒封接。

为了能达到最好地封接效果，本实用新型中瓷壳上与封接环封接处设置为金属化结构。即，如图2所示，该瓷壳内壁上与封接环封接处设置问金属化结构，瓷壳的台阶1与封接环相连的部位也设置为金属化结构。

为了能更好地减少瓷壳与屏蔽筒之间的封接应力，该封接环优选为由无氧铜材料构成。所述封接环的厚度则优选为0.5mm。

为了能增加屏蔽罩与瓷壳同轴度，进一步提高工频耐压和雷电冲击耐压能力，如图2所示，所述屏蔽筒3由直筒31、连接于直筒31下方的收缩筒32组成，且该屏蔽筒3为一体成型结构，该收缩筒32外径与封接环4内径相匹配。所述直筒31与收缩筒32连接处以及直筒31与收缩筒32端口处结构均为圆弧形。

本实施例中封接环4、瓷壳2、屏蔽筒3之间的具体设置如下：