[发明专利]具有覆层的磁设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年11月8日提交的名称为“包括近场换能器和相关覆层 的设备”的第61/901,615号美国临时申请的优先权，并通过引用将其公开内容 包括在内。

背景技术

热辅助磁记录(HAMR)过程可包括可能极为腐蚀性的环境，因为高温(例 如，高达大约450℃)、高湿度、以及氧化的环境。由于严酷的环境并且期望保 护某些更为精致的结构，例如近场换能器(NFT)和写入电极，举例来说；仍 存在对不同种类覆层的需求。

发明内容

磁设备，包括：磁写入器；以及被放置为覆盖至少该磁写入器的覆层，该 覆层包括钇氧化物、钪氧化物、镧系氧化物、锕系氧化物、锌氧化物、或其组 合。

还公开了磁设备，包括：近场换能器(NFT)；以及被放置为覆盖NFT的 至少一部分的覆层，该覆层包括与NFT接触的内层，该内层包括钇氧化物、钪 氧化物、镧系氧化物、锕系氧化物、锌氧化物、或其组合；以及与内层接触的 外层，该外层包括氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪 (HfO₂)、或其组合。

还公开了磁设备，包括：近场换能器(NFT)；以及被放置为覆盖NFT的 至少一部分的覆层，该覆层包括与NFT接触的内层，该内层包括钇氧化物、钪 氧化物、镧系氧化物、锕系氧化物、锌氧化物、或其组合；以及与内层接触的 外层，该外层包括氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪 (HfO₂)、或其组合。

还公开了磁设备，包括：磁写入器，该磁写入器具有近场换能器(NFT)； 磁读取器；以及被放置为覆盖至少该磁写入器和磁读取器的覆层，该覆层包括 与NFT接触的内层，该内层包括钇、氧化物、钪、氧化物、或其组合；以及与 内层接触的外层，该外层包括氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、 氧化铪(HfO₂)、或其组合。

本公开的上述发明内容并非试图描述每个公开的实施例或本公开的每个实 施方式。下文的描述更具体地例示了说明性实施例。在本申请的多个位置中， 通过实例的列表提供了指引，其实例可通过各种组合使用。在每个实例中，列 举的列表仅用作代表组，且不应当解释为排外的列表。

附图说明

图1是可包括依照本公开一个方面构建的记录头的磁盘驱动器形式的数据 存储设备的图形表示。

图2是依照本发明一个方面构建的记录头的侧视图。

图3A、3B和3C是设备多个部分的截面的示意图(图3A和3B)以及设备 的空气轴承表面(ABS)的视图(图3C)。

附图并不必须按比例绘制。附图中使用相同的数字表示相同的组件。然而 应当理解，在指定附图中使用数字表示某组件并不意欲限制在另一附图中使用 相同数字标注的该组件。

具体实施方式

热辅助磁记录(称为HAMR)利用辐射，例如来自激光器的辐射，加热介 质至高于其居里温度的温度，从而实现磁记录。为了传递该辐射，例如激光束， 至介质的小区域(例如大约20-50nm)，利用了近场换能器(NFT)。在磁记录操 作期间，NFT从激光器吸收能量并将其聚焦至非常小的区域；这可导致NFT的 温度升高。NFT的温度可提升至大约400℃或者更高。

由于提升的温度和严酷的环境，覆盖磁头的层，这里称为覆层可能是重要 的。在某些实施例中，覆层可提供

公开的覆层可有利地提供在高温环境中更稳健的设备，例如HAMR。公开 的覆层包括至少钇氧化物、钪氧化物、镧系氧化物、锕系氧化物、锌氧化物、 或其组合。