[发明专利]具有覆层的磁设备在审

专利信息
申请号: 201410858103.1 申请日: 2014-11-10
公开(公告)号: CN104851431A 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 黄晓岳;S-Y·杨;S·瑞莫;M·C·考茨基 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 何焜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 覆层 设备
【权利要求书】:

1.一种磁设备,包括:

近场换能器(NFT);以及

覆层,被放置为覆盖NFT的至少一部分,所述覆层包括与NFT接触的内层和 与内层接触的外层,其中内层包括钇氧化物、钪氧化物、镧系氧化物、锕系氧 化物、锌氧化物、或其组合。

2.根据权利要求1所述的磁设备,其中内层包括氧化钇(Y2O3),氧化钪 (Sc2O3),镧系氧化物:氧化镧(La2O3)、氧化铈(Ce2O3,或CeO2)、氧化镨(Pr2O3)、 氧化钕(Nd2O3)、氧化钷(Pm2O3)、氧化钐(Sm2O3)、氧化铕(Eu2O3)、氧化 钆(Gd2O3)、氧化铽(Tb4O7,Tb2O3,TbO2,或Tb6O11)、氧化镝(Dy2O3)、氧 化钬(Ho2O3)、氧化铒(Er2O3)、氧化铥(Tm2O3)、氧化镱(Yb2O3)、以及氧 化镥(Lu2O3),锕系氧化物:氧化锕(Ac2O3)、氧化钍(Th2O7或THO2)、氧化 镤(Pa2O5,PaO2,或PaO)、氧化铀(U3O8,UO2,UO3,U2O5,或UO4·2H2O)、 氧化镎(NpO2,Np2O5,或Np5O8)、氧化钚(PuO2或PuO4)、氧化镅(AmO, Am2O3,或AmO2)、氧化锔(Cm2O3,CmO2,或CmO4)、氧化锫(Bk2O3,或 BkO2)、氧化锎(Cf2O3或CfO2)、氧化锿(Es2O3)、氧化镄(Fm2O3,或FmO)、 氧化钔(Md2O3或MdO)、氧化锘(No2O3或NoO)、以及氧化铹(Lr2O3),氧 化锌(ZnO),或其组合。

3.根据权利要求1所述的磁设备,其中内层包括氧化钇(Y2O3)、氧化钪 (Sc2O3)、或其组合。

4.根据权利要求1所述的磁设备,其中内层包括氧化钇(Y2O3)。

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