[发明专利]一种具有四色亚像素的有机电致发光装置在审
申请号: | 201410856853.5 | 申请日: | 2014-12-31 |
公开(公告)号: | CN104600094A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 刘嵩;李维维 | 申请(专利权)人: | 北京维信诺科技有限公司;昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 四色亚 像素 有机 电致发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光装置技术领域,特别是一种具有四色亚像素的有机电致发光装置。
背景技术
有机电致发光装置OLED的通常由红、绿、蓝三种像素组成,由于磷光体系的材料可以实现较高的发光效率,是发光层常用材料。目前红光发光层和绿光发光层主要采用全磷光材料,浅蓝色发光层使用的全磷光材料也较为成熟。但是目前用作深蓝色发光材料的磷光材料由于寿命短和效率低(仅25%),因此深蓝色发光材料常使用荧光材料。全荧光材料的色度和寿命虽然有较强的优势,但是与全磷光材料层混合使用的结构,效率却较低。
CN201080065975公开了一种新型OLED器件,该装置的发光层具有四个子像素,分别为红色磷光子像素,绿色磷光子像素,浅蓝色磷光子像素及深蓝色荧光子像素。与现有技术的RGB三个子像素的OLED器件相比,增加了浅蓝色磷光子像素,可以使其颜色更为丰富,具有较高的发光效率,降低了显示屏的功耗。但是四个子像素的发光层采用使并置方式,蒸镀时需要使用四组精密掩膜板,每个子像素都需要精确对位,因此增加了工艺难度和制造成本,精密掩膜板对位时差错几率增大,良品率降低。
为解决精密掩膜板的对位次数,US20100244069提出来采用同时蒸镀两个亚像素发光层的方式制作四色显示装置的方法,即采用蒸镀R/G/B像素的发光层时同时蒸镀白光像素发光层,其蒸镀方式为:蒸镀红色像素的红光发光层与白光像素的红色发光层,在蒸镀绿色像素的绿光发光层与白光像素的绿色发光层,然后再蒸镀蓝色像素的蓝光发光层与白光像素的蓝色发光层,当然红绿蓝发光层的蒸镀顺序可以调整。但该方案只能实现第四像素为白光。假如将其白光像素替换为深蓝光像素,其依然需要4组精密掩膜板且四次对位才能实现蒸镀。
CN2013103644792公开了图2所示的一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:基板;在所述基板中限定的多个像素,像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素,所述像素还包括:形成在所述基板上的阳极;与所述阳极相对的阴极;跨过红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区和白色子像素区中的每一个形成的红色公共发光层146、绿色公共发光层144和蓝色公共发光层142,其中,所述蓝色公共发光层被布置在所述阳极上方并且与所述阳极相邻,所述绿色公共发光层被布置在所述蓝色公共发光层上方,并且所述红色公共发光层被布置在所述绿色公共发光层上方并且与所述阴极相邻,其中,堆叠在所述白色子像素中的所述红色公共发光层、所述绿色公共发光层和所述蓝色公共发光层发出红光、绿光和蓝光,使得从所述白色子像素中输出白光。每一像素区的三层发射层之间设置空穴传输层或电子传输层,该显示装置结构复杂,制备工艺需要繁琐。对于制备精度极高的OLED器件,工艺复杂意味着差错几率增大,良品率降低。
发明内容
为此,本发明所要解决的技术问题在于现有技术中具有四色亚像素器件中的磷光发光层与荧光发光层之间容易发生三线态能级不匹配导致发光效率低下的问题,进而提供一种具有四色亚像素的有机电致发光装置,其具有较高的发光效率和较低的功耗。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种具有四色亚像素的有机电致发光装置,包括基板,设置在所述基板上的第一电极层、有机功能层和第二电极层,所述有机功能层包括依次形成在第一电极层上的第一有机功能层、发光层和第二有机功能层,所述发光层包括红光发光层、绿光发光层、浅蓝光发光层和深蓝光发光层,所述深蓝光发光层的一部分与所述第一有机功能层物理接触,另一部分形成在所述红光发光层、绿光发光层和浅蓝光发光层的上方;
所述红光发光层、绿光发光层和浅蓝光发光层与所述深蓝光发光层之间设置有激子阻挡层,所述激子阻挡层包括第一阻挡材料和具有空穴传输能力的第二阻挡材料,所述第一阻挡材料的T1≥2.6eV、HOMO能级≤-5.6eV;所述第二阻挡材料HOMO能级≤-5.4eV、空穴迁移率≥5×10-4cm/Vs。
优选地,所述第一阻挡材料与第二阻挡材料的HOMO能级差≥0.2eV。
进一步优选地,所述述第一阻挡材料与第二阻挡材料质量比为3:7-7:3。
所述激子阻挡层的厚度为3nm-10nm。
所述第一阻挡材料为Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲罗啉)或BCP(Bathocuproine)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的