[发明专利]一种具有四色亚像素的有机电致发光装置在审

专利信息
申请号: 201410856853.5 申请日: 2014-12-31
公开(公告)号: CN104600094A 公开(公告)日: 2015-05-06
发明(设计)人: 刘嵩;李维维 申请(专利权)人: 北京维信诺科技有限公司;昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 彭秀丽
地址: 100085 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 四色亚 像素 有机 电致发光 装置
【权利要求书】:

1.一种具有四色亚像素的有机电致发光装置,包括基板(1),设置在所述基板(1)上的第一电极层(2)、有机功能层和第二电极层(7),所述有机功能层包括依次形成在第一电极层(2)上的第一有机功能层、发光层和第二有机功能层,所述发光层包括红光发光层(8)、绿光发光层(9)、浅蓝光发光层(10)和深蓝光发光层(5),其特征在于:

所述深蓝光发光层(5)的一部分与所述第一有机功能层物理接触,另一部分形成在所述红光发光层(8)、绿光发光层(9)和浅蓝光发光层(10)的上方。

2.根据权利要求1所述的具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于,所述红光发光层(8)、绿光发光层(9)和浅蓝光发光层(10)与所述深蓝光发光层(5)之间设置有激子阻挡层(4),所述激子阻挡层(4)包括第一阻挡材料和具有空穴传输能力的第二阻挡材料,所述第一阻挡材料的T1≥2.6eV、HOMO能级≤-5.6eV;所述第二阻挡材料HOMO能级≤-5.4eV、空穴迁移率≥5×10-4cm/Vs。

3.根据权利要求2所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于,所述第一阻挡材料与第二阻挡材料的HOMO能级差≥0.2eV。

4.根据权利要求2所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于,所述第一阻挡材料与第二阻挡材料质量比为3:7-7:3。

5.根据权利要求2所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于,所述激子阻挡层(4)的厚度为3nm-10nm。

6.根据权利要求2-5任一所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于:所述第一阻挡材料为Bphen或BCP。

7.根据权利要求2-5任一所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于:所述第二阻挡材料为式(1)、式(2)、式(3)、式(4)或式(5)所示结构:

其中,所述A和B分别独立选自苯基、萘基或苯胺基;

R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18相同或不同,分别独立选自氢元素、卤族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亚稠环芳基、C6-C30的亚稠杂环芳基、C6-C20的烷基或C6-C30的醇基;

R9、R10、R11和R12相同或不同,分别独立选自C6-C30的芳基;

R13选自C1-C6烷基或羟基。

8.根据权利要求6所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于:所述第二阻挡材料为式(HTL2-1)-(HTL2-23)所示结构:

9.根据权利要求1任一所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于:所述红光发光层(8)、绿光发光层(9)、浅蓝光发光层(10)均为磷光发光层,所述深蓝光发光层(5)为荧光发光层。

10.根据权利要求1所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于:所述基板(1)上设置有若干像素限定层(11),所述像素限定层(11)形成连续的网格结构,填充在所述网格结构中的有机功能层构成红光亚像素,绿光亚像素、浅蓝光亚像素或深蓝光亚像素。

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