[发明专利]一种具有四色亚像素的有机电致发光装置在审
申请号: | 201410856853.5 | 申请日: | 2014-12-31 |
公开(公告)号: | CN104600094A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 刘嵩;李维维 | 申请(专利权)人: | 北京维信诺科技有限公司;昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 四色亚 像素 有机 电致发光 装置 | ||
1.一种具有四色亚像素的有机电致发光装置,包括基板(1),设置在所述基板(1)上的第一电极层(2)、有机功能层和第二电极层(7),所述有机功能层包括依次形成在第一电极层(2)上的第一有机功能层、发光层和第二有机功能层,所述发光层包括红光发光层(8)、绿光发光层(9)、浅蓝光发光层(10)和深蓝光发光层(5),其特征在于:
所述深蓝光发光层(5)的一部分与所述第一有机功能层物理接触,另一部分形成在所述红光发光层(8)、绿光发光层(9)和浅蓝光发光层(10)的上方。
2.根据权利要求1所述的具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于,所述红光发光层(8)、绿光发光层(9)和浅蓝光发光层(10)与所述深蓝光发光层(5)之间设置有激子阻挡层(4),所述激子阻挡层(4)包括第一阻挡材料和具有空穴传输能力的第二阻挡材料,所述第一阻挡材料的T1≥2.6eV、HOMO能级≤-5.6eV;所述第二阻挡材料HOMO能级≤-5.4eV、空穴迁移率≥5×10-4cm/Vs。
3.根据权利要求2所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于,所述第一阻挡材料与第二阻挡材料的HOMO能级差≥0.2eV。
4.根据权利要求2所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于,所述第一阻挡材料与第二阻挡材料质量比为3:7-7:3。
5.根据权利要求2所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于,所述激子阻挡层(4)的厚度为3nm-10nm。
6.根据权利要求2-5任一所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于:所述第一阻挡材料为Bphen或BCP。
7.根据权利要求2-5任一所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于:所述第二阻挡材料为式(1)、式(2)、式(3)、式(4)或式(5)所示结构:
其中,所述A和B分别独立选自苯基、萘基或苯胺基;
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18相同或不同,分别独立选自氢元素、卤族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亚稠环芳基、C6-C30的亚稠杂环芳基、C6-C20的烷基或C6-C30的醇基;
R9、R10、R11和R12相同或不同,分别独立选自C6-C30的芳基;
R13选自C1-C6烷基或羟基。
8.根据权利要求6所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于:所述第二阻挡材料为式(HTL2-1)-(HTL2-23)所示结构:
9.根据权利要求1任一所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于:所述红光发光层(8)、绿光发光层(9)、浅蓝光发光层(10)均为磷光发光层,所述深蓝光发光层(5)为荧光发光层。
10.根据权利要求1所述具有四色亚像素的有机电致发光装置,其特征在于:所述基板(1)上设置有若干像素限定层(11),所述像素限定层(11)形成连续的网格结构,填充在所述网格结构中的有机功能层构成红光亚像素,绿光亚像素、浅蓝光亚像素或深蓝光亚像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的