[发明专利]一种LTPSTFT像素单元及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种LTPS TFT像素单元及其制造方法。

背景技术

现有技术的LTPS TFT(Low Temperature Poly-silicon Thin Film Transistor，低温多晶硅薄膜晶体管)像素单元的形成过程为：先沉积缓冲层，然后在缓冲层上形成半导体图案层，进一步在半导体图案层上形成绝缘层、栅极等LTPS TFT像素单元的其他元件。

现有技术的LTPS TFT像素单元因为半导体图案层形成在缓冲层上，也就是说半导体图案层自缓冲层向上凸起，使得后续形成的绝缘层在半导体图案层的两端形成阶梯凸起结构，从而使得形成在绝缘层上的栅极与半导体图案层的间距不均而造成侧效应。另一方面，由于存在缓冲层的阶梯结构，使得信号在传输过程不稳定，从而影响LTPS TFT像素单元的电性。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种LTPS TFT像素单元及其制造方法，能够减小侧效应，并提高LTPS TFT像素单元的电性。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种LTPS TFT像素单元的制造方法，该方法包括以下步骤：提供一基板，并在基板上形成一缓冲层；在缓冲层上形成半导体图案层和第一绝缘层，半导体图案层与第一绝缘层同层设置且半导体图案层的高度和第一绝缘层的高度相等。

其中，在基板上形成一缓冲层的步骤包括：在基板上依次形成氮化硅层和氧化硅层。

其中，在缓冲层上形成半导体图案层和第一绝缘层，半导体图案层与第一绝缘层同层设置且半导体图案层的高度和第一绝缘层的高度相等的步骤包括：在缓冲层上形成一非晶硅层，并对非晶硅层进行结晶操作，以形成多晶硅层；通过第一道光罩工序对多晶硅层进行图案化，以形成半导体图案层；在半导体图案层上和未形成半导体图案层的缓冲层上形成一与半导体图案层高度相同的氮化硅层；在氮化硅层上的未对应半导体图案层的位置涂覆负向光阻；通过第二道光罩工序对氮化硅层进行图案化处理；进一步对半导体图案层上方的氮化硅层进行蚀刻，以蚀刻掉半导体图案层上的氮化硅层，使得在半导体图案层的两端形成与半导体图案层的高度相同的第一绝缘层。

其中，方法还包括：在半导体图案层上通过第三道光罩工序和第一掺杂工序在半导体图案层上形成本征区域和位于本征区域两侧的重掺杂区域；进一步在半导体图案层上通过第四道光罩工序和第二掺杂工序在半导体图案层上形成位于本征区域与重掺杂区域之间的轻掺杂区域。

其中，方法还包括：在半导体图案层和第一绝缘层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成栅极层，并通过第五道光罩工序对栅极层进行图案化处理，以形成栅极；在栅极上形成第三绝缘层；在第三绝缘层上形成LTPS TFT单元的源极和漏极，其中源极和漏极分别通过穿过第二绝缘层和第三绝缘层的第一通孔与半导体图案层电连接；在源极和漏极上形成第四绝缘层，并在第四绝缘层上形成像素电极，像素电极通过穿过第四绝缘层的第二通孔与源极或漏极之一电连接。

其中，方法还包括：在第四绝缘层和源极以及漏极之间进一步形成第五绝缘层；在第五绝缘层和第四绝缘层之间进一步形成公共电极，用于与像素电极形成液晶电容。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种LTPS TFT像素单元，该LTPS TFT单元包括：基板；缓冲层，设置在基板上；半导体图案层和第一绝缘层，同层设置在缓冲层上，且半导体图案层的高度和第一绝缘层的高度相等。

其中，缓冲层包括依次设置在基板上的氮化硅层和氧化硅层。

其中，LTPS TFT像素单元还包括：第二绝缘层，设置在半导体图案层和第一绝缘层上；栅极，设置在第二绝缘层上；第三绝缘层，设置在栅极上；源极和漏极，设置在第三绝缘层上，其中源极和漏极分别通过穿过第二绝缘层和第三绝缘层的第一通孔与半导体图案层电连接；第四绝缘层，设置在源极和漏极上；像素电极，设置在第四绝缘层上，并通过穿过第四绝缘层的第二通孔与源极或漏极之一电连接。

其中，LTPS TFT像素单元还包括：第五绝缘层，设置在第四绝缘层和源极以及漏极之间；公共电极，设置在第五绝缘层和第四绝缘层之间，用于与像素电极形成液晶电容。