[发明专利]一种LTPSTFT像素单元及其制造方法

权利要求书

1.一种LTPS TFT像素单元的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供一基板，并在所述基板上形成一缓冲层；

在所述缓冲层上形成一非晶硅层，并对所述非晶硅层进行结晶操作，以形成多晶硅层；

通过第一道光罩工序对所述多晶硅层进行图案化，以形成半导体图案层；

在所述半导体图案层上和未形成所述半导体图案层的所述缓冲层上形成一与所述半导体图案层高度相同的氮化硅层；

在所述氮化硅层上的未对应所述半导体图案层的位置涂覆负向光阻；

通过第二道光罩工序对所述氮化硅层进行图案化处理；

进一步对所述半导体图案层上方的所述氮化硅层进行蚀刻，以蚀刻掉所述半导体图案层上的氮化硅层，使得在所述半导体图案层的两端形成与所述半导体图案层的高度相同的第一绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板上形成一缓冲层的步骤包括：

在所述基板上依次形成氮化硅层和氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述半导体图案层上通过第三道光罩工序和第一掺杂工序在所述半导体图案层上形成本征区域和位于所述本征区域两侧的重掺杂区域；

进一步在所述半导体图案层上通过第四道光罩工序和第二掺杂工序在所述半导体图案层上形成位于所述本征区域与所述重掺杂区域之间的轻掺杂区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述半导体图案层和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成栅极层，并通过第五道光罩工序对所述栅极层进行图案化处理，以形成栅极；

在所述栅极上形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上形成所述LTPS TFT单元的源极和漏极，其中所述源极和漏极分别通过穿过所述第二绝缘层和第三绝缘层的第一通孔与所述半导体图案层电连接；

在所述源极和漏极上形成第四绝缘层，并在所述第四绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过穿过所述第四绝缘层的第二通孔与所述源极或漏极之一电连接。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第四绝缘层和所述源极以及漏极之间进一步形成第五绝缘层；

在所述第五绝缘层和所述第四绝缘层之间进一步形成公共电极，用于与所述像素电极形成液晶电容。

6.一种LTPS TFT像素单元，其特征在于，所述LTPS TFT单元通过权利要求1-5任一项所述的方法制造而成，所述LTPS TFT单元包括：

基板；

缓冲层，设置在所述基板上；

半导体图案层和第一绝缘层，同层设置在所述缓冲层上，且所述半导体图案层的高度和所述第一绝缘层的高度相等。

7.根据权利要求6所述的LTPS TFT像素单元，其特征在于，所述缓冲层包括依次设置在所述基板上的氮化硅层和氧化硅层。

8.根据权利要求7所述的LTPS TFT像素单元，其特征在于，所述LTPS TFT像素单元还包括：

第二绝缘层，设置在所述半导体图案层和所述第一绝缘层上；

栅极，设置在所述第二绝缘层上；

第三绝缘层，设置在所述栅极上；

源极和漏极，设置在所述第三绝缘层上，其中所述源极和漏极分别通过穿过所述第二绝缘层和第三绝缘层的第一通孔与所述半导体图案层电连接；

第四绝缘层，设置在所述源极和漏极上；

像素电极，设置在所述第四绝缘层上，并通过穿过所述第四绝缘层的第二通孔与所述源极或漏极之一电连接。

9.根据权利要求8所述的LTPS TFT像素单元，其特征在于，所述LTPS TFT像素单元还包括：

第五绝缘层，设置在所述第四绝缘层和所述源极以及漏极之间；

公共电极，设置在所述第五绝缘层和所述第四绝缘层之间，用于与所述像素电极形成液晶电容。