[发明专利]一种液晶显示装置、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：

提供一基板，所述基板包括感光间隔物对应区域；

在所述基板上形成多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管分别包括源极和漏极；

在所述多个薄膜晶体管上形成覆盖所述多个薄膜晶体管的第一平坦化层，刻蚀所述第一平坦化层形成平坦化层开孔，所述平坦化层开孔暴露出所述漏极；

在所述第一平坦化层上形成像素电极层，所述像素电极层通过所述平坦化层开孔与所述漏极接触；

在所述像素电极层上形成第二平坦化层，所述第二平坦化层填充所述平坦化层开孔；

使用掩膜对所述第二平坦化层进行曝光，并对曝光后的所述第二平坦化层进行显影，以去除所述感光间隔物对应区域处的第二平坦化层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述使用掩膜对所述第二平坦化层曝光，包括：使用薄膜晶体管阵列基板制程中所使用的掩膜，对所述第二平坦化层进行曝光。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上还形成有遮光层，所述遮光层位于所述多个薄膜晶体管和所述基板之间，并且所述遮光层和所述多个薄膜晶体管的漏极以及沟道区域重叠、与感光间隔物对应区域不重叠；

所述使用薄膜晶体管阵列基板制程中所使用的掩膜，对所述第二平坦化层进行曝光，包括：使用形成所述遮光层的掩膜对所述第二平坦化层进行曝光；

对曝光后的所述第二平坦化层进行显影，使得对应所述遮光层区域的所述第二平坦化层保留。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述形成遮光层的掩膜的遮光图案设计为“U”形；

使用形成所述遮光层的掩膜对所述第二平坦化层曝光后形成“U”形图案的第二平坦化层，在所述“U”形图案的第二平坦化层中，“U”形的缺口位于所述感光间隔物对应区域处，所述感光间隔物对应区域位于相邻的平坦化层开孔之间。

5.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述使用薄膜晶体管阵列基板制程中所使用的掩膜，对所述第二平坦化层进行曝光，包括：使用形成所述源极和漏极的掩膜对所述第二平坦化层进行曝光；

对曝光后的所述第二平坦化层进行显影，使得对应所述源极和源极区域的所述第二平坦化层保留。

6.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述使用薄膜晶体阵列管基板制程中所使用的掩膜，对所述第二平坦化层进行曝光，包括：使用形成所述像素电极层的掩膜对所述第二平坦化层进行曝光；

对曝光后的所述第二平坦化层进行显影，使得对应所述像素电极层区域的所述第二平坦化层保留。

7.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述使用薄膜晶体管阵列基板制程中所使用的掩膜，对所述第二平坦化层进行曝光，包括：先使用形成所述源极和漏极的掩膜对所述第二平坦化层进行曝光，再使用形成所述像素电极层的掩膜对使用形成所述源极和漏极的掩膜曝光后的所述第二平坦化层进行曝光；

对两次曝光后的所述第二平坦化层进行显影，使得对应所述漏极和像素电极层重叠区域的所述第二平坦化层保留，所述漏极与所述像素电极层重叠区域为所述平坦化层开孔处区域。

8.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：

提供一基板，所述基板包括感光间隔物对应区域；

在所述基板上形成多个薄膜晶体管，在所述多个薄膜晶体管上形成覆盖所述多个薄膜晶体管的第一平坦化层；

所述多个薄膜晶体管分别包括源极和漏极，将覆盖所述漏极区域的所述第一平坦化层刻蚀，形成平坦化层开孔，所述平坦化层开孔暴露出所述漏极；

在所述第一平坦化层上形成像素电极层，所述像素电极层通过所述平坦化层开孔与所述漏极接触；

在所述像素电极层上形成第二平坦化层，以使所述第二平坦化层填充所述平坦化层开孔，并且所述第二平坦化层还覆盖所述第一平坦化层。