[发明专利]一种侧向互连的堆叠封装结构在审
| 申请号: | 201410838489.X | 申请日: | 2015-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN104505386A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
| 发明(设计)人: | 李君;曹立强 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 侧向 互连 堆叠 封装 结构 | ||
1.一种侧向互连的堆叠封装结构,包括上层封装体与下层封装体,其特征在于,该上层封装体与该下层封装体之间通过由多个层间焊球、再分布层与侧向互连结构构成的互连通道实现电气互连,其中,多个层间焊球形成于上层封装体与下层封装体之间,再分布层形成于下层封装体的下层塑封的顶部,侧向互连结构形成于下层封装体的下层塑封的四周。
2.根据权利要求1所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述侧向互连结构上接所述再分布层中的金属层,下接所述下层封装体的下层基板,是圆形过孔或是由圆形过孔连排形成的四边形过孔,在过孔中依次采用化学镀、电镀工艺填充金属铜,切片形成分立的半过孔、多半过孔结构或立方体结构。
3.根据权利要求2所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述侧向互连结构中的金属材料被树脂、镊金或镊钯金全部包覆或大部分包覆,以防止金属材料被氧化。
4.根据权利要求1所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述再分布层由金属层和介质层构成,金属层用于实现电气互连,介质层用于实现互连线间隔离或层间隔离。
5.根据权利要求4所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述再分布层包含单层金属或多层金属。
6.根据权利要求1所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述多个层间焊球采用的材料是焊锡,并且在上层封装体与下层封装体之间采用满盘排布或外圈排布。
7.根据权利要求1所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,
所述上层封装体包括上层基板、上层裸片、以及上层塑封,其中:所述上层裸片形成于上层基板之上,上层裸片与上层基板通过导电胶或贴片胶结合,或者采用引线键合或倒装焊方式结合;所述上层塑封围绕在上层裸片周围,用于保护上层裸片;
所述下层封装体包括下层基板、下层裸片、下层塑封、再分布层、侧向互连结构、以及底层球栅阵列焊球,其中:所述下层裸片形成于下层基板之上,下层裸片与下层基板通过导电胶或贴片胶结合,或者采用引线键合或倒装焊方式结合;所述下层塑封围绕在下层裸片周围,用于保护下层裸片,并支撑侧向互连结构;所述底层球栅阵列焊球形成于下层基板之下,用于实现下层封装体与PCB基板之间的电气互连。
8.根据权利要求7所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述上层基板中含有多个上层导热孔,所述下层基板中含有多个下层导热孔,该上层导热孔依次与层间焊球、再分布层包含的单层金属或多层金属、侧向互连结构及下层导热孔,形成该堆叠封装结构的3D散热通道。
9.根据权利要求7所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述再分布层与所述侧向互连结构以及所述下层基板中的地层导通时,能够形成电磁屏蔽,用于下层裸片的电磁隔离。
10.根据权利要求7所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述下层封装体还包括多个穿透模塑过孔,该穿透模塑过孔形成于部分或全部所述层间焊球之下,贯穿再分布层和下层塑封。
11.根据权利要求10所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,在该穿透模塑过孔中依次采用化学镀、电镀铜满孔或电镀铜环,使层间焊球、再分布层与穿透模塑过孔构成互连通道,实现该上层封装体与该下层封装体之间的电气互连。
12.根据权利要求11所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述在该穿透模塑过孔中金属铜为电镀铜环时采用塞孔技术,起到支撑再分布层的作用。
13.根据权利要求12所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述塞孔技术采用在穿透模塑过孔中进行焊锡或填充树脂。
14.根据权利要求7所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述上层裸片或所述下层裸片至少一个,当为多个时,所述上层裸片采用堆叠、平铺、内嵌或内埋的方式设置于上层基板之上,所述下层裸片采用堆叠、平铺、内嵌或内埋的方式设置于下层基板之上。
15.根据权利要求14所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述上层裸片采用金线、铜线或银线与上层基板中的互连线及过孔实现电气互连,所述下层裸片采用可控塌陷芯片连接凸点或铜柱凸点与下层基板中的互连线和过孔实现电气互连。
16.根据权利要求14所述的侧向互连的堆叠封装结构,其特征在于,所述上层裸片或所述下层裸片采用分立器件替代。
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