[发明专利]一种浮栅的制作方法有效
| 申请号： | 201410838153.3 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105789276B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘钊;熊涛;许毅胜;舒清明 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 及其 制作方法 | ||
1.一种浮栅制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次形成栅氧化层和栅介质层；
依次对所述栅介质层、所述栅氧化层和所述衬底进行图像化处理，形成有源区和浅沟槽隔离区；
在所述浅沟槽隔离区上形成浅沟槽氧化层，填充所述浅沟槽隔离区；
依次剥离所述栅介质层和所述栅氧化层；
对所述浅沟槽氧化层进行回刻蚀处理，去除与有源区侧壁对应的部分浅沟槽氧化层；
在所述有源区上形成隧穿氧化层和离子注入层；
在所述离子注入层和所述隧穿氧化层上形成栅极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述浅沟槽氧化层进行回刻蚀处理，去除与有源区侧壁对应的部分浅沟槽氧化层，包括：
采用湿法刻蚀或干法刻蚀对所述浅沟槽氧化层进行回刻蚀处理，去除与所述有源区侧壁对应的厚度为的浅沟槽氧化层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述有源区上形成隧穿氧化层和离子注入层，包括：
采用湿法氧化工艺或原位水气生成工艺在所述有源区上形成隧穿氧化层；
对所述隧穿氧化层进行阈值电压离子注入，形成离子注入层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述浅沟槽隔离区上形成浅沟槽氧化层，填充所述浅沟槽隔离区，包括：
在栅极区域对应的浅沟槽隔离区上形成线性氧化层；
对所述浅沟槽隔离区进行化学气相沉积处理，形成较厚氧化层，所述较厚氧化层远离所述浅沟槽隔离区的表面为第一表面，所述栅介质层与所述栅氧化层相接触的表面为第二表面，所述第一表面和所述第二表面之间的距离大于所述栅介质层的厚度；
对所述较厚氧化层进行化学机械抛光处理，以去除所述浅沟槽隔离区上的较厚氧化层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述离子注入层和所述隧穿氧化层上形成栅极，包括：
采用低压力化学气相沉积工艺在在所述离子注入层和所述隧穿氧化层上形成栅极；
对所述栅极进行化学机械抛光处理，以去除所述浅沟槽隔离区上的栅极。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依次对所述栅介质层、所述栅氧化层和所述衬底进行图像化处理，形成有源区和浅沟槽隔离区之前，还包括：
采用化学气相沉积工艺在所述栅介质层上形成光刻抗反射层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依次剥离所述栅介质层和所述栅氧化层，包括：
采用磷酸剥离栅介质层，并采用氢氟酸剥离栅氧化层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述隧穿氧化层的厚度为
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
栅氧化层的厚度为所述栅介质层的厚度为
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