[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法

说明书

本发明提出了一种薄膜晶体管及其制备方法，在有源层上形成栅极绝缘层，且栅极绝缘层暴露出有源层的两端，用于形成源/漏极，接着，在栅极绝缘层上形成金属栅极，且金属栅极暴露出栅极绝缘层的两端，借助金属栅极和栅极绝缘层的遮挡作用，在栅极绝缘层暴露出的两端下方的有源层内形成LDD区，通过一次工艺即可同时形成源/漏极和LDD区，减少工艺步骤，降低生产成本。此外，在形成金属栅极的同时，还在有源层两端及缓冲层表面形成金属源漏连线，金属源漏连线与后续形成的源/漏极分别相连，在后续刻蚀形成第一通孔时，刻蚀暴露出的是金属源漏连线，而非常规的源/漏极，可防止对源/漏极进行刻蚀的过程中造成的电性能恶化，能够确保薄膜晶体管的性能。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管制造领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。

背景技术

AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体面板)通常会使用低温多晶硅作为薄膜晶体管(TFT)背板有源层，使得TFT器件具有较大的驱动电流，从而利于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)的发光亮度。若是采用低温多晶硅半导体作为沟道层，当较高的反向栅极电压施加在TFT器件上时其沟道区会引起较大的漏电流，这并不利于TFT器件的工作，而且还会消耗电能。通常TFT器件会采用轻掺杂漏极(Lightly Doped Drain，LDD)区，减弱漏极电场、以改进热电子退化效应即是在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏极，让该低掺杂的漏极也承受部分电压，这种结构可防止热电子退化效应，提高TFT器件的工作性能。

但是，通常的LDD区需要增加额外的工艺(例如光刻工艺)，这使得TFT器件的成本增加，并不利于生产。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管及其制备方法，能够在不增加额外工艺的前提下，制备出LDD区，降低生产成本。

为了实现上述目的，本发明提出了一种薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：

提供衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层及有源层；

在所述有源层上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层暴露出所述有源层的两端，所述有源层暴露出的两端用于形成源/漏极；

在所述栅极绝缘层上形成金属栅极，所述金属栅极暴露出所述栅极绝缘层的两端，所述栅极绝缘层暴露出的两端下方的有源层内用于形成LDD区；

进行离子注入，在所述有源层暴露出的两端形成源/漏极，在所述栅极绝缘层暴露出的两端下方的有源层内形成LDD区。

进一步的，在所述的薄膜晶体管的制备方法中，在形成所述金属栅极的同时，还在所述有源层两端及缓冲层表面形成金属源漏连线，所述金属源漏连线与所述栅极绝缘层保持预定距离。

进一步的，在所述的薄膜晶体管的制备方法中，在形成所述金属栅极及金属源漏连线的同时，还在所述缓冲层上形成电容下极板，所述电容下极板与所述金属源漏连线保持预定间距。

进一步的，在所述的薄膜晶体管的制备方法中，在形成所述源/漏极及LDD区之后，还包括步骤：

在所述缓冲层、金属源漏连线、源/漏极、栅极绝缘层、金属栅极及电容下极板的表面形成层间介质层；

刻蚀所述层间介质层，形成第一通孔，所述第一通孔暴露出部分金属源漏连线；

在所述层间介质层的表面及第一通孔内形成通孔连线，所述通孔连线与暴露的金属源漏连线相连，同时还在所述层间介质层的表面形成电容上极板，所述电容上极板的位置与所述电容下极板的位置相对应；

在所述层间介质层、通孔连线及电容上极板的表面形成平坦化层；

刻蚀所述平坦化层形成第二通孔，所述第二通孔暴露出一个通孔连线；