[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层及有源层；

在所述有源层上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层暴露出所述有源层的两端，所述有源层暴露出的两端用于形成源/漏极；

在所述栅极绝缘层上形成金属栅极，同时，还在所述有源层的两端及缓冲层的表面形成金属源漏连线，所述金属源漏连线与所述栅极绝缘层保持预定距离，以及，所述金属栅极暴露出所述栅极绝缘层的两端，所述栅极绝缘层暴露出的两端下方的有源层内用于形成LDD区；

在形成所述金属源漏连线之后，进行离子注入，在所述有源层暴露出的两端形成源/漏极，在所述栅极绝缘层暴露出的两端下方的有源层内形成LDD区，其中，通过注入离子至所述金属源漏连线与所述栅极绝缘层之间的有源层中，并扩散至所述有源层的端部，以在所述有源层暴露出的两端形成源/漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述金属栅极及金属源漏连线的同时，还在所述缓冲层上形成电容下极板，所述电容下极板与所述金属源漏连线保持预定间距。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述源/漏极及LDD区之后，还包括步骤：

在所述缓冲层、金属源漏连线、源/漏极、栅极绝缘层、金属栅极及电容下极板的表面形成层间介质层；

刻蚀所述层间介质层，形成第一通孔，所述第一通孔暴露出部分金属源漏连线；

在所述层间介质层的表面及第一通孔内形成通孔连线，所述通孔连线与暴露的金属源漏连线相连，同时还在所述层间介质层的表面形成电容上极板，所述电容上极板的位置与所述电容下极板的位置相对应；

在所述层间介质层、通孔连线及电容上极板的表面形成平坦化层；

刻蚀所述平坦化层形成第二通孔，所述第二通孔暴露出一个通孔连线；

在所述平坦化层的表面及第二通孔内形成透明导电层，所述透明导电层与暴露出的通孔连线相连；

在所述平坦化层及透明导电层的表面形成像素限定层；

刻蚀所述像素限定层，形成第三通孔，所述第三通孔暴露出部分透明导电层。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属源漏连线及金属栅极的材质为Mo、Al或Mo/Al/Mo的膜层组合；所述通孔连线的材质为Ti、Al或者Ti/Al/Ti的膜层组合；所述电容上极板与所述通孔连线同时形成，电容下极板与所述栅极同时形成且两者材质相等。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的材质为氧化硅和氮化硅。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有源层的形成步骤包括：

在所述缓冲层上形成非晶硅层；

采用激光晶化对所述非晶硅层进行处理形成多晶硅层；

刻蚀所述多晶硅层形成有源层。

8.一种薄膜晶体管，采用如权利要求1至7中任一项所述的薄膜晶体管的制备方法制备而成，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、有源层、源/漏极、LDD区、栅极绝缘层及金属栅极、金属源漏连线，其中，所述缓冲层形成在衬底的表面，所述有源层形成在所述缓冲层上，所述栅极绝缘层形成在所述有源层上，并暴露出所述有源层的两端，所述金属栅极形成在所述栅极绝缘层上，并暴露出所述栅极绝缘层的两端，所述金属源漏连线形成在所述有源层的两端及缓冲层的表面，并与所述栅极绝缘层保持预定距离，所述源/漏极分别形成在所述有源层暴露的两端，其中，所述源/漏极通过注入离子至所述金属源漏连线与所述栅极绝缘层之间的有源层中，并使离子扩散至所述有源层的端部的方式，在所述有源层暴露出的两端形成，所述LDD区形成在所述栅极绝缘层暴露出的两端下方的有源层内。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：电容下极板、层间介质层、通孔连线、电容上极板、平坦化层、透明导电层及像素限定层，其中，所述电容下极板形成在所述缓冲层表面，并与所述金属源漏连线保持预定间距，所述层间介质层形成在所述缓冲层、金属源漏连线、源/漏极、栅极绝缘层、金属栅极及电容下极板的表面，并暴露出部分金属源漏连线，所述通孔连线形成在所述层间介质层表面，并与暴露出的金属源漏连线相连，所述电容上极板形成在所述层间介质层表面，并与所述电容下极板位置相对应，所述平坦化层形成在所述层间介质层、通孔连线及电容上极板的表面，并具有暴露出一个通孔连线的第二通孔，所述透明导电层形成在所述平坦化层的表面及第二通孔内，并与暴露出通孔连线相连，所述像素限定层形成在所述平坦化层及透明导电层的表面，并暴露出部分透明导电层。