[发明专利]圆片级封装结构及其工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种圆片级封装结构及其工艺方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

现有的圆片级封装，先对圆片进行划片，将完成划片后分离的芯片正面粘贴在载板上，再对载板粘贴芯片的一侧进行塑封，去除载板，露出芯片正面，对芯片正面电极进行Fanout 重布线制作金属线路与产品电性的输出。圆片划片后单颗芯片排列粘贴在载板上进行包封、制作Fanout金属线路，一方面芯片排列对位的效率低，而且分离芯片排列对位容易产生位移偏差，这将造成后续芯片正面Fanout金属线路的偏移；由于圆片Fanout封装在封装厂进行，但是对于封装厂进行Fanout工艺涉及的密间距线路制作，难度比较高，容易出现线路短路、线路剥离的问题，良率偏低。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种圆片级封装结构及其工艺方法，圆片上的图面设计与引线框的图面完全对应，实现整片圆片倒装于引线框，再进行圆片的切割分离以及封装，实现单颗芯片尺寸等同于引线框单颗Unit的晶圆级封装。

本发明的目的是这样实现的：一种圆片级封装结构，它包括引线框，所述引线框上倒装有芯片，所述芯片正面设置有金属凸点，所述金属凸点与芯片之间通过锡球相连接，所述金属凸点和锡球周围设置有不导电胶，所述引线框周围包封有塑封料，所述引线框背面电镀有金属层。

一种圆片级封装结构的工艺方法，所述方法包括以下步骤：

步骤一、取一圆片，圆片正面线路设计完全对应于引线框图面，单颗芯片尺寸等同于封装尺寸；

步骤二、在圆片正面电极上制作金属凸点；

步骤三、在金属凸点上制作锡球；

步骤四、在完成锡球制作的圆片正面被覆一层不导电胶，并进行不导电胶的固化；

步骤五、对圆片正面进行磨胶，露出金属柱子上的锡层；

步骤六、将完成磨胶的圆片倒装于引线框；

步骤七、将完成倒装的产品放入回流焊设备进行回流焊；

步骤八、对完成回流焊的产品进行塑封；

步骤九、对完成塑封后的产品进行引线框背面电镀；

步骤十、对完成电镀的产品进行切割，分离单个产品。

所述圆片正面线路可以根据引线框图面进行Fanout设计；

所述引线框图面可以根据圆片正面线路进行匹配设计。

所述不导电胶被覆方式采用刷胶或甩胶的方式。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

1、芯片重布线制作与封装分别由各自擅长的晶圆FAB厂与封装厂完成，产品良率比较高；

2、引线框单颗Unit尺寸等同于单独的芯片尺寸，不仅最大化地利用了金属引线框，而且可以缩小产品尺寸，提高引线框的利用率，降低材料成本；

3、整片圆片一次倒装完成、大大提高了生产效率，降低了生产成本。

附图说明

图1为本发明一种圆片级封装结构的结构示意图。

图2~图11为本发明一种圆片级封装结构工艺方法的各工序示意图。

其中：

引线框1

芯片2

金属凸点3

锡球4

不导电胶5

塑封料6

金属层7。

具体实施方式

参见图1，本发明一种圆片级封装结构，它包括引线框1，所述引线框1上倒装有芯片2，所述芯片2正面设置有金属凸点3，所述金属凸点3与芯片2之间通过锡球4相连接，所述金属凸点3和锡球4周围设置有不导电胶5，所述引线框1周围包封有塑封料6，所述引线框1背面电镀有金属层7。

其工艺方法如下：

步骤一、参见图2，取一圆片，圆片正面线路设计完全对应于引线框图面，单颗芯片尺寸等同于封装尺寸；

步骤二、参见图3，在圆片正面电极上制作金属凸点；

步骤三、参见图4，在金属凸点上制作锡球；

步骤四、参见图5，在完成锡球制作的圆片正面被覆一层不导电胶，并进行不导电胶的固化，被覆方式可以采用刷胶、甩胶；

步骤五、参见图6，对圆片正面进行磨胶，露出金属柱子上的锡层；

步骤六、参见图7，将完成磨胶的圆片倒装于引线框；

步骤七、参见图8，将完成倒装的产品放入回流焊设备进行回流焊；

步骤八、参见图9，对完成回流焊的产品进行塑封；

步骤九、参见图10，对完成塑封后的产品进行引线框背面电镀；

步骤十、参见图11，对完成电镀的产品进行切割，分离单个产品。

所述圆片正面线路可以根据引线框图面进行Fanout设计；

所述引线框图面可以根据圆片正面线路进行匹配设计。