[发明专利]一种半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件。

背景技术

随着半导体技术的不断进步，对半导体器件的功率要求越来越高。半导体器件的高功率必然引起产生大量的热量，如果产生的大量的热量不能及时排出去的话，势必会影响半导体器件的性能，而且会大大减小半导体器件的寿命和可靠性。因此，高功率半导体器件的散热问题是至关重要的问题。现有的半导体器件的封装材料具有较差的散热性，使得高功率半导体器件产生的大量的热量不能及时地排出去，严重影响了半导体器件的性能。

发明内容

本发明是为了解决现有技术中的上述不足而完成的，本发明的目的在于提出一种半导体器件，该半导体器件能够解决现有半导体器件散热性差的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种半导体器件，包括：

导线架，所述导线架包括至少一个芯片座和至少三个管脚；

至少一个第一芯片，所述第一芯片位于所述芯片座之上；

芯片结合材，所述芯片结合材位于所述第一芯片和所述芯片座之间；

导线，所述导线用于连接所述第一芯片和所述管脚；

第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述导线架之下，且位于所述第一芯片的下方；

导热层，所述导热层位于所述第一绝缘层之下；

封装材料，所述封装材料将所述导线架、所述第一芯片、所述导线、所述第一绝缘层和所述导热层封装起来，且所述导热层的下表面裸漏在外面，所述管脚伸出所述封装材料之外。

进一步地，所述第一绝缘层材料为氧化铝、氮化铝或环氧树脂，所述导热层材料为铜或铝。

进一步地，所述第一绝缘层由多个第一绝缘块组成或为一层。

进一步地，所述第一绝缘层材料为氧化铝或氮化铝时，还包括：

第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述导热层之下，所述第二绝缘层被封装在所述封装材料之内，且所述第二绝缘层的下表面裸漏在外面。

进一步地，所述第二绝缘层材料为氧化铝或氮化铝。

进一步地，还包括：

印刷电路板，所述印刷电路板上焊接有至少一个第二芯片和至少一个焊点，所述导线还用于连接所述第二芯片和所述焊点、所述焊点和所述第一芯片、所述焊点和所述管脚，所述印刷电路板、所述第二芯片和所述焊点被封装在所述封装材料之内。

进一步地，所述印刷电路板上焊接有至少一个电容，所述导线还用于连接所述第二芯片和所述电容、所述电容和所述焊点，所述电容被封装在所述封装材料之内。

本发明所述的半导体器件通过在导线架之下增加第一绝缘层和导热层，且封装后导热层的下表面裸漏在外面，使得半导体器件产生的热量能够及时地排出去，提高了半导体器件的性能，进而提高半导体器件的可靠性，延长半导体器件的寿命。

附图说明

为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。

图1是本发明实施例一提供的半导体器件的结构图。

图2是本发明实施例二提供的半导体器件的结构图。

图3是本发明实施例三提供的半导体器件的结构图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。

实施例一：

图1是本发明实施例一提供的半导体器件的结构图。如图1所示，该半导体器件包括：

导线架101，导线架包括芯片座111和管脚121。

本实施例中，芯片座至少有一个，用于放置芯片。管脚至少有三个，用于作为封装后的半导体器件的源极、漏极和栅极。

第一芯片102，位于芯片座111之上。

本实施例中，第一芯片至少有一个，放置于芯片座上，每个芯片座上放置一个芯片。

芯片结合材103，位于第一芯片102和芯片座101之间。

本实施例中，芯片结合材将第一芯片固定在芯片座上。芯片结合材可以是导电胶或焊锡膏。

导线104，用于连接第一芯片102和管脚121。