[发明专利]一种小单孢菌发酵生产庆大霉素的培养基及培养方法有效

专利信息
申请号: 201410826500.0 申请日: 2014-12-26
公开(公告)号: CN104651431B 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 任勇 申请(专利权)人: 宁夏泰瑞制药股份有限公司
主分类号: C12P19/50 分类号: C12P19/50;C12R1/29
代理公司: 宁夏专利服务中心64100 代理人: 徐淑芬
地址: 750101 宁夏*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要:
搜索关键词: 一种 小单孢菌 发酵 生产 庆大霉素 培养基 培养 方法
【权利要求书】:

1.一种小单孢菌发酵生产庆大霉素的培养基,包括一级种子培养基、二级种子培养基和发酵培养基,其特征在于所述一级种子培养基的组成为:麦芽糖10~20ml/L、混合淀粉20~30g/L、豆油或玉米油1~5ml/L、低温压榨一次黄豆饼粉25~35g/L、大米酒糟15~20g/L、玉米蛋白粉5~10g/L、轻质碳酸钙2~4g/L、硫酸铵1~5g/L,麦芽糖酶0.01~0.03g/L;

所述二级种子培养基组成为:麦芽糖20~25ml/L、混合淀粉30~40g/L、豆油或玉米油1~5ml/L、低温压榨一次黄豆饼粉40~45g/L、大米酒糟25~30g/L、玉米蛋白粉10~15g/L、磷酸二氢钾0.5~0.8g/L、轻质碳酸钙3~5g/L、硫酸铵3~5g/L、麦芽糖酶0.03~0.05g/L;

所述发酵培养基的组成为:麦芽糖30~50ml/L、混合淀粉40~60g/L、豆油或玉米油1~5ml/L、低温压榨一次黄豆饼粉50~60g/L、大米酒糟30~40g/L、玉米蛋白粉20~30g/L、磷酸二氢钾0.8~1.2g/L、轻质碳酸钙6~8g/L、硫酸铵5~8g/L、氯化钠4~6g/L、硫酸镁4~6g/L、氯化钴0.003~0.007g/L、非离子表面活性剂0.01~0.05g/L,弱酸性阳离子交换树脂1~5g/L,麦芽糖酶0.04~0.07g/L;

所述混合淀粉是指淀粉中加入其重量的0.006%的泛酸和0.004%的硫辛酸;

所述非离子表面活性剂为脂肪酸甘油酯、脂肪酸山梨坦或聚山梨酯;

所述弱酸性阳离子交换树脂为大丙烯酸系阳离子交换树脂、苯丙烯阳离子交换树脂或酚醛阳离子交换树脂。

2.按照权利要求1所述的小单孢菌发酵生产庆大霉素的培养基,其特征在于所述大米酒糟的质量要求是:蛋白质含量在50%以上,水分含量控制在5%以内,80%的原料能够通过60目筛。

3.按照权利要求1所述的小单孢菌发酵生产庆大霉素的培养基,其特征在于所述低温压榨一次黄豆饼粉质量要求是:黄豆饼粉在低于80℃的条件下压榨1次,要求其油含量控制在7~10%,蛋白质含量在45%以上,80%的原料能够通过80目筛。

4.一种利用权利要求1-3任意一项所述培养基生产庆大霉素的培养方法,其特征在于其工艺步骤包括:

1)一级种子培养:首先将一级种子培养基灭菌,冷却,并用无菌空气保压,然后在火焰保护下,将已经培养好的小单孢菌母瓶发酵液接入一级种子罐进行培养,接种量控制在一级种子培养基体积的0.5~1%;

2)二级种子培养:先将二级种子培养基灭菌,冷却,并用无菌空气保压,然后将已经培养好的菌体浓度15~25%、pH值7~8、无其它杂菌污染的一级种子培养液按照1:9~11的体积比移入二级种子罐进行培养;

3)发酵培养:先将发酵培养基灭菌,冷却,并用无菌空气保压,然后将已经培养好的菌体浓度30~40%、pH值7~8、无其它杂菌污染的二级种子液按照1:5~6的体积比移入发酵罐进行培养,至a 发酵效价每6~8h取样检测,前、后检测的发酵单位相差在100u/ml以内;b 菌体浓度30~50%;c 发酵单位在2200u/mL以上;d pH值6.5~8.5时停止发酵。

5.按照权利要求4所述的培养方法,其特征在于所述一级种子培养条件为:罐压0.04~0.08MPa;罐温34~37℃;空气流量:0~10h,50~60m3/h;6h~移种:80~100m3/h;搅拌转速60~100r/min;pH7~8;培养时间50~55h。

6.按照权利要求4所述的培养方法,其特征在于所述二级种子培养条件为:罐压0.04~0.08MPa;罐温33~35℃;空气流量100~300m3/h;搅拌转速100~120r/min;pH值7~8;培养时间:40~50h。

7.按照权利要求4所述的培养方法,其特征在于所述发酵培养条件为:

a 脂肪控制:发酵培养基灭菌后脂肪控制在4~6%;发酵前80h,脂肪含量控制在4.5%以上;发酵81~110h,脂肪含量控制在3.5~4.5%;111h至发酵结束,脂肪含量控制在1.5~2%;

b 发酵过程采用变温培养:

发酵前60h,培养温度控制在35~37℃,

发酵61h~发酵结束,培养温度控制在34~35℃;

c 搅拌转速:150~220r/min;

d 还原糖含量:发酵培养基灭菌后还原糖控制在6~8%;发酵前80h,还原糖含量控制在6%以上;发酵81~110h,还原糖含量控制在4~6%;发酵111h至发酵结束,还原糖含量控制在1~2%;

e 发酵周期:培养时间150~160h;

f 压力控制:发酵全程罐压控制在0.06~0.08MPa;

g pH控制:发酵过程中pH6.5~7.5;

h 无菌检查:发酵过程中进行菌检,要求无其它杂菌;

i 空气流量:发酵前80h:400~600m3/h;发酵81~110h,800~1000m3/h;发酵111h至发酵结束,300~500m3/h。

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