[发明专利]化合物太阳能电池与硫化物单晶纳米粒子薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种化合物太阳能电池，其特征在于，所述化合物太阳能电池包括：

基板；

第一电极，位于该基板上；

VI族吸收层，位于该第一电极上；

第二电极，位于该VI族吸收层上；以及

第一缓冲层，位于该VI族吸收层与该第二电极之间，其中该第一缓 冲层是由多数个硫化物单晶纳米粒子所构成的薄膜。

2.如权利要求1所述的化合物太阳能电池，其中该第一缓冲层的厚度 在1nm～150nm之间。

3.如权利要求1所述的化合物太阳能电池，其中该硫化物单晶纳米粒 子的材料包括ZnS、CdS、InS、PbS、FeS、CoS₂、Cu₂S或MoS₂。

4.如权利要求1所述的化合物太阳能电池，其中该VI族吸收层包括 1-III-VI族化合物或II-VI族化合物。

5.如权利要求4所述的化合物太阳能电池，其中该VI族吸收层包括 铜铟镓硒、铜锌锡硫或碲化镉。

6.如权利要求1所述的化合物太阳能电池，还包括一第二缓冲层设置 在该第一缓冲层与该第二电极之间，其中该第二缓冲层的厚度约在 0.1nm～100nm之间。

7.如权利要求1所述的化合物太阳能电池，其中该第一电极包括金属 电极以及该第二电极包括透明电极。

8.一种硫化物单晶纳米粒子薄膜的制造方法，其特征在于，所述制造 方法包括：

将硫化物前驱物溶液滴在VI族吸收层的表面；以及

在第一预定温度下热裂解该硫化物前驱物溶液，以在该VI族吸收层 的该表面形成由多数个硫化物单晶纳米粒子所构成的薄膜。

9.如权利要求8所述的硫化物单晶纳米粒子薄膜的制造方法，其中该 硫化物前驱物溶液包括溶剂与硫化物前驱体。

10.如权利要求9所述的硫化物单晶纳米粒子薄膜的制造方法，其中 该硫化物前驱物包括二乙基二硫代氨基甲酸锌、二乙基二硫代氨基甲酸 镉、二乙基二硫代氨基甲酸铟、二乙基二硫代氨基甲酸铅、二乙基二硫代 氨基甲酸铁、二乙基二硫代氨基甲酸钴或二乙基二硫代氨基甲酸铜。

11.如权利要求9所述的硫化物单晶纳米粒子薄膜的制造方法，其中 该溶剂的沸点在220℃以上。

12.如权利要求9所述的硫化物单晶纳米粒子薄膜的制造方法，其中 该溶剂包括三正锌基膦。

13.如权利要求8所述的硫化物单晶纳米粒子薄膜的制造方法，其中 该硫化物前驱物溶液的浓度在0.01M～0.6M之间。

14.如权利要求8所述的硫化物单晶纳米粒子薄膜的制造方法，其中 该热裂解的步骤是在惰性气体或真空中进行。

15.如权利要求8所述的硫化物单晶纳米粒子薄膜的制造方法，其中 该第一预定温度在220℃～350℃之间。

16.如权利要求8所述的硫化物单晶纳米粒子薄膜的制造方法，其中 将该硫化物前驱物溶液滴在该材料层的该表面之前，还包括预热至第二预 定温度，其中该第二预定温度在100℃～200℃；以及将该硫化物前驱物溶 液滴在该材料层的该表面之后，升温至该第一预定温度，约为220℃～350℃ 之间。