[发明专利]氧化铟锡材料化学成分标准物质及制备方法在审
申请号: | 201410823575.3 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN104483174A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 冀克俭;李艳玲;邓卫华;张雨;赵晓刚;周彤;华兰;邵鸿飞;刘元俊 | 申请(专利权)人: | 中国兵器工业集团第五三研究所 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28;G01N21/71 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 苗峻 |
地址: | 250031 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 材料 化学成分 标准 物质 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于化学计量技术领域,涉及标准物质制备技术,特别涉及氧化铟锡材料化学成分标准物质的制备技术。
背景技术
氧化铟锡(ITO)是一种n型宽禁带半导体,ITO的发射率、透过率等光谱特性优异,在许多方面得到应用,如电学材料、透明电极材料、太阳能电池材料,特别是在屏幕显示技术方面有着广泛的应用;ITO是一种新型的宽频谱伪装隐身吸收剂,在复合隐身方面具有巨大的应用前景。
ITO粉体的制备方法常用的有共沉淀法、水热法、溶胶-凝胶法、喷雾燃烧法等。溶胶凝胶法和共沉淀法是湿法制备工艺的主要手段。
溶胶凝胶法一般以金属或金属盐、高聚物以及醇盐作源物质,利用醇盐的水解缩聚反应形成凝胶网络结构。该方法反应条件温和,可准确控制化学计量比,但铟锡的金属醇盐价格昂贵、不易获得。
化学共沉淀法一般是向铟锡的盐溶液中滴加氨水或者其他碱溶液,制备出铟锡氢氧化物沉淀,经过烧结得到ITO粉末。该工艺制备过程简单,易于控制,但是烧结的粉末团聚严重,难以分散。
宋伟明等在“水基溶胶凝胶法制备纳米氧化铟锡粉末”(《应用化学》2008,25(4))介绍的制备方法是以In和SnCl4·5H2O为原料,聚乙二醇(平均分子量20000)为分散剂,控制溶胶凝胶过程,在水溶液中形成了稳定的溶胶凝胶,通过溶胶渗析、凝胶转化,得到了稳定的铟锡混合凝胶。将凝胶60℃真空干燥,500℃煅烧,得到纳米ITO粉体。
黎铉海等在“化学液相共沉淀法制备ITO纳米粉体的工艺研究”(《金属矿山》2008,(9))中以4N铟、锡锭为原料,以25%氨水为沉淀剂,采用点滴法滴加氨水的方式来制备ITO纳米粉体。在液相中加入1%硅酸钠,反应温度为60℃,反应终点pH值为8.0、老化时间为2h,800℃煅烧4h的条件下,得到立方晶系ITO粉体。
CN 101628814A“铟锡氧化物粉末的制备方法”采用铟盐和锡盐的混合液与碱性溶液混合得到混合前驱物沉淀;前驱物沉淀用去离子水或蒸馏水清洗并过滤,得到铟锡混合前驱物;对铟锡混合前驱物冻干除水、再高温煅烧,得到氧化铟锡粉。
现有文献报道的研究目的更关注氧化铟锡材料的形成,对杂质元素含量控制的研究未见报道,到目前为止,国内、国外公开发布的标准物质中未见氧化铟锡材料化学成分标准物质。
发明内容
本发明的目的是根据氧化铟锡材料化学成分分析的需要,提供一种含有预期掺杂元素的氧化铟锡粉体,作为氧化铟锡材料化学元素定量分析的标准物质;本发明的同时提供该标准物质的制备方法。
本发明的目的是这样实现的,以氧化铟锡材料基本元素构成为设计依据,以氧化铟为主体,辅以氧化锡等掺杂金属元素,由几种梯度分布的、不同含量的掺杂材料构成氧化铟锡化学成分标准物质。其制备方法以铟、锡硝酸盐为主体,掺杂微量金属元素,采用均相共沉淀和溶胶凝胶法相结合工艺,以氨水为沉淀剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为分散剂,采用金属氢氧化物共沉淀法制备前躯体,经过除水、干燥、程序升温烧结得到预期化学成份含量的氧化铟锡化学成分标准物质。
本发明涉及的氧化铟锡材料化学成分标准物质,为掺杂金属元素的氧化铟锡粉末,氧化锡含量在1%~10%之间,梯度分布;掺杂金属元素的含量在0.05%~0.5%之间,梯度分布,掺杂金属元素为Fe、Cu、Pb、Zn、Ca或Mg中的一种或几种;余量氧化铟。
本发明涉及的氧化铟锡材料化学成分标准物质由3~5个氧化锡及掺杂金属含量呈梯度分布的的样品组成。
本发明涉及的氧化铟锡材料化学成分标准物质的制备方法,制备工艺包括合成、脱水、干燥、烧结、定值五个工序:
(1)合成:用优级纯硝酸溶解铟粉成溶液、优级纯盐酸溶解锡粉成溶液;与掺杂金属元素的硝酸盐标准溶液混合,加入预制ITO干粉质量18%~25%的 PVP,在水浴中搅拌至物料恒温在59℃~65℃,用氨水沉淀至pH 8.0~8.2之间,继续搅拌30min,室温静置陈化2h以上,得到均相沉淀物A;
(2)脱水:采用无元素损失的方式脱除沉淀物A中的水,得到类凝胶状前驱物B;
(3)干燥:在110~120℃下干燥前驱物B得到前驱物C;
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