[发明专利]一种晶圆清洗系统在审
申请号: | 201410821743.5 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN104492764A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 刘思佳 | 申请(专利权)人: | 苏州凯锝微电子有限公司 |
主分类号: | B08B7/04 | 分类号: | B08B7/04;B08B3/02;B08B5/02;H01L21/02 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 系统 | ||
技术领域
本发明涉及一种晶圆清洗系统,属于半导体技术领域。
背景技术
在半导体制造工艺中,晶圆表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素。因此,清洗是其中最重要和最频繁的工艺之一。在常用的半导体工艺中,例如:沉积、等离子体刻蚀、旋涂光刻胶、光刻、电镀等等,都有可能会在晶圆表面引入污染和/ 或颗粒,导致晶圆表面的清洁度下降,使得制造的半导体器件良率低。一般来说,在半导体器件的整个制造工艺中,高达20%的工艺步骤为清洗工艺。
晶圆表面有四大常见类型的污染:微细颗粒;有机残余物;无机残余物;需要去除的氧化层。晶圆清洗的目的是为了去除附着于晶圆表面上的有机化合物、金属杂质或微细颗粒、需要去除的氧化层,避免微量离子和金属杂质对半导体器件的污染,从而提高半导体器件的性能和合格率。
综上,亟需提供一种新的晶圆清洗装置,以解决晶圆未清洗干净,进而影响后续工序,产生交叉污染,产品良率低的问题。
发明内容
为解决上述技术问题,克服现有技术存在的不足,本发明提供一种晶圆清洗系统。本发明采用如下技术方案:一种晶圆清洗系统,其特征在于,包括晶圆喷液装置、晶圆旋转装置、晶圆鼓风装置,所述晶圆喷液装置设置与所述晶圆旋转装置的上方,所述晶圆鼓风装置设置于所述晶圆旋转装置的一侧。
优选地,所述晶圆喷液装置包括喷液管,所述喷液管内设置有清洗液。
优选地,所述晶圆旋转装置包括水平旋转台、基座、内旋转卡爪、晶圆,所述基座固定设置于所述水平旋转台上,所述内旋转卡爪设置于所述基座的内侧,所述内旋转卡爪与所述晶圆紧密贴合。
优选地,所述内旋转卡爪设置有卡槽,所述卡槽与所述晶圆的尺寸大小相配合。
优选地,所述基座内部设置有驱动器,所述驱动器与所述内旋转卡爪相连;驱动器驱动内旋转卡爪沿水平方向转动,从而带动晶圆随之转动。
优选地,所述水平旋转台下端设置有驱动马达,用来驱动水平旋转台沿竖直方向转动,带动基座以及晶圆随之转动。
优选地,所述晶圆鼓风装置包括鼓风机,用来吹掉晶圆上的金属屑。
本发明所达到的有益效果:通过驱动晶圆沿水平和竖直两个方向转动,鼓风机吹动喷到晶圆上的清洗液清洗掉金属屑,从而将晶圆彻底清洗干净。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图中标记的含义:1-喷液管,2-清洗液,3-基座,4-内旋转卡爪,5-晶圆,6-鼓风机,7-水平旋转台,8-驱动马达。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
如图1所示的是本发明的结构示意图,本发明提供一种晶圆清洗系统,包括晶圆喷液装置、晶圆旋转装置、晶圆鼓风装置,所述晶圆喷液装置设置与所述晶圆旋转装置的上方,所述晶圆鼓风装置设置于所述晶圆旋转装置的一侧。
优选地,晶圆喷液装置包括喷液管1,喷液管1内设置有清洗液2。
优选地,晶圆旋转装置包括水平旋转台7、基座3、内旋转卡爪4、晶圆5,基座3固定设置于水平旋转台7上,内旋转卡爪4设置于基座3的内侧,内旋转卡爪4与晶圆5紧密贴合。
优选地,内旋转卡爪4设置有卡槽,卡槽与晶圆5的尺寸大小相配合。
优选地,基座3内部设置有驱动器,驱动器与内旋转卡爪4相连;驱动器驱动内旋转卡爪4沿水平方向转动,从而带动晶圆5随之转动。
优选地,水平旋转台7下端设置有驱动马达8;驱动马达8用来驱动水平旋转台7沿竖直方向转动,带动基座3以及晶圆5随之转动。
优选地,晶圆鼓风装置包括鼓风机6,用来吹掉晶圆5上的金属屑。
本发明通过驱动晶圆沿水平和竖直两个方向转动,鼓风机吹动喷到晶圆上的清洗液清洗掉金属屑,从而将晶圆彻底清洗干净。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
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