[发明专利]二维碲化镓材料的制备方法

权利要求书

1.一种二维碲化镓材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一、采用垂直布里奇曼晶体生长法，将Ga:Te按物质的量比1:1进行配料，制备GaTe单晶体；

步骤二、在Ar气氛下的米开罗那Universal 2440-750手套箱内，选取大块表面光滑无褶皱的GaTe体材料，并沿自然解理面将其分离为多块；

步骤三、在Ar气氛下的米开罗那Universal 2440-750手套箱内，使用思高胶带从表层光亮、损伤较小的GaTe块体材料表面撕离一块厚度约为6-8μm的GaTe薄片；

步骤四、在Ar气氛下的米开罗那Universal 2440-750手套箱内，将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离，直至胶带表面不再光亮，成功附着较为密集的数百纳米厚度的GaTe片层；为了保护GaTe体材料平整的表面，剥离时应使GaTe表面与胶带表面充分接触；在胶带分离过程中，要单方向缓慢进行；

步骤五、选择胶带表面层状GaTe分布较为密集且残胶较少的区域进行转移，即将胶带上的GaTe薄片转移到厚度为300nm的SiO₂衬底表面；同时使用重物施加10⁵Pa的压力并在90℃-110℃下退火处理22-24h；

步骤六、GaTe片层的减薄，即再剥离；利用3M思高胶带反复粘连，将附着在二氧化硅表面的GaTe进一步剥离，再使用蘸有丙酮的棉球擦除衬底表面的残胶。