[发明专利]一种基于玻璃转接板的叠层封装体及其制备方法

权利要求书

1.一种基于玻璃转接板的叠层封装体，其特征是：在玻璃转接板的上表面堆叠芯片层，同时所述芯片层的外部和层间填充有密封材料，在密封材料与所述芯片层的上表面设有钝化层，在玻璃转接板的正面钝化层内嵌有正面布线，在背面钝化层内嵌有背面布线，背面布线与正面布线之间通过穿透玻璃转接板和包封体的金属柱实现互连。

2.如权利要求1所述的叠层封装体，其特征是：所述芯片层为一层芯片或者多层堆叠芯片。

3.如权利要求2所述的叠层封装体，其特征是所述多层堆叠芯片的堆叠方式为倒装焊或者正面贴装。

4.如权利要求1或2所述的超薄多层封装体，其特征是：所述金属柱分布在芯片层的外周区域。

5.如权利要求4所述的叠层封装体，其特征是：在所述外周区域金属柱的分布呈四方形形状。

6.一种制备如权利要求1所述的基于玻璃转接板的叠层封装体的方法，其特征是包含以下步骤：

1）制作含有通孔的玻璃转接板，并完成通孔内金属的填充，形成金属柱；

2)进行正面布线层的制作，与金属柱互连；

3)对玻璃转接板的背面实施减薄，并对玻璃进行刻蚀，金属柱露出转接板背面一定高度，并且转接板背面上堆叠一层芯片或者多层芯片时，芯片的顶面低于金属柱的端面或与该端面水平；

4)对上述一层芯片或者多层芯片进行密封，然后露出金属柱和芯片，进行背面布线，使得芯片与金属柱互连。

7.如权利要求6所述的制备叠层封装体的方法，其特征是第3步中的刻蚀可以是干法刻蚀或湿法刻蚀。

8.如权利要求6所述的制备叠层封装体的方法，其特征是第1步中进行金属的填充工艺前，先在通孔内依次完成阻挡层、种子层的沉积。