[发明专利]一种IO Pad的ESD静电防护结构有效
| 申请号： | 201410815637.6 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104576640A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 宗宇;査启超;赵元富;姚全斌;冯奕翔;宋晶峰 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 庄恒玲 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 io pad esd 静电 防护 结构 | ||
1.一种IO Pad的ESD静电防护结构，其特征在于，包括衬底(10)、阱区(11)、两个P型晶体管(1，2)、第一N型晶体管(3)、第二N型晶体管(4)、第三N型晶体管(5)、第四N型晶体管(7)、隔离电阻(6)、第一PAD通道(8)以及第二PAD通道(9)，其中，所述第一PAD通道(8)与第二PAD通道(9)彼此间隔、且彼此平行地布置在所述衬底(10)上；所述阱区(11)布置在所述第一PAD通道(8)和第二PAD通道(9)限定的区域之外；并且
两个P型晶体管(1，2)沿着所述第一PAD通道(8)延伸的方向并列地布置在所述阱区(11)上；
所述第一N型晶体管(3)和第四N型晶体管(7)沿着两个PAD通道延伸的方向并列地布置在两个PAD通道限定的区域内，并靠近于所述第一PAD通道(8)；所述第二N型晶体管(4)、第三N型晶体管(5)、以及隔离电阻(6)沿着两个PAD通道延伸的方向并列地布置在两个PAD通道限定的区域内，并靠近于所述第二PAD通道(9)，并且所述第一N型晶体管(3)与第二N型晶体管(4)和第三N型晶体管(5)之间通过所述第一N型晶体管(3)的栅端金属信号线间隔。
2.根据权利要求1所述的IO Pad的ESD静电防护结构，其特征在于，每个P型晶体管(1，2)都包括并列布置的多个MOS管并联组，并且每一个MOS管并联组包括呈手指状并联连接的多个P型MOS管单元；并且
所述第一N型晶体管(3)、第二N型晶体管(4)、第三N型晶体管(5)以及第四N型晶体管(7)各自也包括并列布置的多个MOS管并联组，并且每一个MOS管并联组包括呈手指状并联连接的多个N型MOS管单元。
3.根据权利要求2所述的IO Pad的ESD静电防护结构，其特征在于，
每个P型晶体管(1，2)包括30～60个P型MOS管单元，每个P型MOS管单元的宽度为1.8～5.4微米，长度为0.4～0.8微米；
所述第一N型晶体管(3)包括120～360个N型MOS管单元，第二N型晶体管(4)包括18～36个N型MOS管单元，所述第三N型晶体管(5)包括42～68个N型MOS管单元，第四N型晶体管(7)包括6～12个N型MOS管单元，并且所述第一N型晶体管(3)、第二N型晶体管(4)以及第三N型晶体管(5)中的N型MOS管单元的宽度均为1.8～5.4微米，长度为0.4～0.8微米，所述第四N型晶体管(7)中的N型MOS管单元的宽度均为1.2～3.6微米，长度为0.35～0.7微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
