[发明专利]像素电极、阵列基板、显示面板在审

专利信息
申请号: 201410814863.2 申请日: 2014-12-24
公开(公告)号: CN104503161A 公开(公告)日: 2015-04-08
发明(设计)人: 马扬昭;沈柏平;吴玲 申请(专利权)人: 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1345;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 王宝筠
地址: 361101福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 像素 电极 阵列 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素电极,包括:

一沿第一方向延伸的主像素电极,所述主像素电极包括主电极以及分别位于所述主电极两端的第一端部和第二端部;

与所述第一端部相连,沿第二方向延伸的第一延伸部,所述第二方向与所述第一方向相交。

2.根据权利要求1所述的像素电极,其特征在于,所述像素电极还包括:位于所述第一延伸部远离所述主像素电极一端,沿第三方向延伸的第二延伸部,其中,所述第三方向与所述第二方向相交。

3.根据权利要求2所述的像素电极,其特征在于,所述第三方向与所述第一方向平行或相交。

4.根据权利要求1所述的像素电极,其特征在于,所述像素电极还包括:

与所述第二端部相连,沿第四方向延伸的第三延伸部,所述第四方向与所述第一方向相交或平行。

5.根据权利要求1-4任一项所述的像素电极,其特征在于,所述像素电极的延伸部的宽度小于所述主像素电极中主电极的宽度。

6.根据权利要求5所述的像素电极,其特征在于,所述主像素电极中第一端部和第二端部的宽度小于所述主像素电极中主电极的宽度。

7.根据权利要求6所述的像素电极,其特征在于,所述主像素电极中第一端部和第二端部的宽度与所述延伸部的宽度相同。

8.根据权利要求1-4与6-7中任一项所述的像素电极,其特征在于,所述第一延伸部与第一端部之间的夹角范围为10°至40°,包括端点值。

9.根据权利要求8所述的像素电极,其特征在于,所述第一端部背离所述主电极一端与所述第一端部朝向所述主电极一端之间垂直距离的取值范围为3微米至5微米,包括端点值。

10.一种阵列基板,包括:第一基板以及位于所述第一基板表面的像素电极层,其中,所述像素电极层包括:

多个子像素区,每个子像素区包括至少一条权利要求1-9任一项所述的像素电极;

多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:栅极、源极和漏极,其漏极与所述像素电极相连;

多条扫描线,所述扫描线与所述薄膜晶体管的栅极相连,控制所述薄膜晶体管的开闭;

多条数据线,所述数据线与所述薄膜晶体管的源极相连,通过所述薄膜晶体管为所述像素电极提供驱动信号。

11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,每个子像素区只包括一条像素电极。

12.根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,所述主像素电极的第二端部与所述薄膜晶体管的漏极相连。

13.根据权利要求12所述的阵列基板,其特征在于,当所述像素电极包括:与所述第二端部相连,沿第四方向延伸的第三延伸部,且所述第四方向与所述第一方向平行时,所述第三延伸部与所述薄膜晶体管的漏极相连。

14.根据权利要求10-13任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极的延伸部与相邻子像素区之间的非透光区域部分交叠。

15.根据权利要求14所述的阵列基板,其特征在于,所述多个子像素区包括多行子像素区,所述像素电极的延伸部与相邻行子像素区之间的非透光区域部分交叠。

16.一种显示面板,包括:

如权利要求10-15中任一项所述的阵列基板;

与所述阵列基板相对设置的彩膜基板;

位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。

17.根据权利要求16所述的显示面板,其特征在于,所述液晶层中的液晶分子为正性液晶分子或负性液晶分子。

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