[发明专利]等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积设备及方法

权利要求书

1.一种等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积设备，包括：反应腔、喷淋装置、衬底载片台、基座、加热装置、真空系统，其特征在于包括能够形成平行于衬底表面、且均匀分布的等离子体的等离子反应室5，所述等离子反应室5通过内嵌密封双O圈13的门阀4与所述反应腔1的相对两侧腔壁密封连接。

2.根据权利要求1所述的等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积设备，其特征在于所述门阀4可根据生长需要关闭或打开。

3.根据权利要求1所述的等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积设备，其特征在于所述等离子反应室5能有通过调控磁铁分布调控磁场以改变等离子体强度与分布的可调式磁场等离子源平板电极16，该等离子源平板电极16连接有中频电源。

4.根据权利要求1所述的等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积设备，其特征在于所述等离子室5的个数为两个。

5.根据权利要求1所述的等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积设备，其特征在于所述反应腔1特别用于生长晶格失配异质外延薄膜。

6.根据权利要求1所述的等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积设备，其特征在于所述载气为氢气、氩气或其它惰性气体中的一种。

7.一种使用权利要求1-6任一所述的等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积设备控制和调节半导体外延薄膜生长模式的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）打开门阀4，启用真空系统11将反应腔1和等离子反应室5内的气压抽至反应气压；

（2）关闭真空系统11，通入高纯惰性气体，充入气体一路作为工作气体进入等离子反应室5，另一路作为载气将金属有机源载入到反应腔1；

（3）关闭门阀4，将衬底送入金属有机物化学气相沉积设备中，进行脱附处理，开启等离子反应室5中等离子源平板电极16电流；

（4）在生长外延薄膜的过程中，根据需要特别是当生长晶格失配异质外延材料时，开启门阀4，使等离子体作用于反应腔，通过调节等离子源平板电极16的电流施加恒定或者变化的等离子体，调节衬底表面外延薄膜材料二维、三维生长模式。