[发明专利]基板处理装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年12月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2013-0160434的权益，该申请的公开内容通过引用并入本文。

发明领域

本申请涉及一种基板处理装置。

背景技术

一般而言，在半导体器件制备中，一直在持续不断地努力来改进在半导体基板上形成高质量的薄膜的装置或工艺，并且已经普遍使用几种方法利用在半导体基板上的表面反应来形成薄膜。

这些方法包括各种类型的化学气相沉积(CVD)，包括真空蒸发沉积、分子束外延(MBE)、低压化学气相沉积、有机金属化学气相沉积和等离子增强学气相沉积，以及原子层外延(ALE)等。

同时，近来已经需要旨在通过在使用上述方法形成薄膜时增加气体和基板之间的反应性来提高产量且同时提高基板的均匀性的技术发展。

相关技术文献

(专利文献1)韩国专利公开申请No.10-2010-0110822。

发明内容

本公开的一方面可提供一种提高产量和基板的均匀性的基板处理装置。

本公开的一方面还可通过预加热供应至腔室的内部空间的气体提供在气体和基板之间的增加的反应性。

根据本公开的示例性实施例，基板处理装置可包括：腔室，该腔室提供内部空间，在该内部空间中，基板通过通道传递，并在基板上执行工艺，并且该腔室具有将气体供应至基板的供应口；以及基座，该基座安装在内部空间中，并且该基座包括对基板进行加热的加热区域和对公供应口供应的气体进行预加热的预加热区域。

预加热区域的温度可以比加热区域的温度高。

加热区域的形状可与基板的形状相应，并且在与气体流动方向垂直的方向上的预加热区域的长度可比基板的直径大。

加热区域的中心可偏离基座的中心，以设置成更靠近通道而不是供应口。

基座可包括：子基座，该子基座具有长方体形状并提供预加热区域，该子基座包括偏离基座中心的开口；以及主基座，该主基座插入到所述开口中并提供加热区域。

子基座的热膨胀系数可以比主基座的热膨胀系数低。

基板处理装置可进一步包括排气口，该排气口设置在腔室的与设置有供应口的腔室的部分相对的部分中，并将已经经过基板的气体排出。

腔室可提供具有长方体形状的内部空间，并且可具有设置有通道的一侧和设置有供应口的另一侧。

加热区域可设置在基板下方，并且预加热区域可设置在加热区域和供应口之间。

预加热区域可设置在加热区域和供应口之间，以允许气体在加热区域之前经过预加热区域。

附图说明

从下面结合附图作出的详细说明将更加清楚地理解本发明的以上和其他方面、特征和优点，其中：

图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的半导体制造设备的视图；

图2是示意性地示出图1中示出的基板处理装置的视图；

图3是图2中示出的基板处理装置的分解透视图；

图4和5是示出图2中示出的排气部的等待位置和处理位置的视图；

图6是示出图2中示出的基座的加热区域和预加热区域的视图；

图7是图6中示出的加热区域和预加热区域的改型示例；并且

图8是示出图6中示出的基座中的气体流动的视图。

具体实施方式

以下，将参照附图详细地描述本发明的示例性实施例。然而，本公开可以许多不同的形式来实施，并且不应理解成受限在此阐述的实施例。提供这些实施例仅是为了使得本公开详尽和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。

附图中，为了清楚起见，放大了元件的形状和尺寸，并且相同的标记将始终用于表示相同或相似的元件。

对于附图中附上的用于增强理解本公开的标记，相同或相似的数字在每个示例性实施例中表示与相同功能有关的元件。同时，作为示例，根据本公开的示例性实施例的处理装置将被描述用于处理基板W，但是可用于处理各种类型的物体。

图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的半导体制造设备的视图。如图1所示，通常，半导体制造设备100可包括处理设备120和设备前端模块(EFEM)110。该设备前端模块110可安装于处理设备120的前面，并且可在基板收纳容器和处理设备之间传输基板W。