[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，包括：

腔室，所述腔室提供内部空间，在所述内部空间中，基板通过通道进行传递，并且在所述基板上进行处理，所述腔室具有将气体供应至所述基板的供应口；以及

基座，所述基座安装在所述内部空间中，并且所述基座包括对所述基板进行加热的加热区域和对从所述供应口供应的气体进行预加热的预加热区域。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述预加热区域的温度比所述加热区域的温度高。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热区域的形状对应于所述基板的形状，并且

所述预加热区域在与气体的流动方向相垂直的方向上的长度大于所述基板的直径。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热区域的中心偏离所述基座的中心，以设置成更靠近所述通道而不是更靠近所述供应口。

5.根据权利要求1或4所述的基板处理装置，其中，所述基座包括：

子基座，所述子基座具有长方体形状，并且包括偏离所述基座的中心的开口，所述子基座提供所述预加热区域；以及

主基座，所述主基座插入到所述开口中，并提供所述加热区域。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述子基座的热膨胀系数低于所述主基座的热膨胀系数。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，进一步包括排气口，所述排气口设置在所述腔室中的如下部分处：该部分与所述腔室的设置所述供应口的部分相对，并且所述排气口将穿过所述基板的气体排出。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述腔室提供具有长方体形状的所述内部空间，并且所述腔室的一侧上设置有所述通道，另一侧上设置有所述供应口。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热区域设置在所述基板下方，并且所述预加热区域设置在所述加热区域和所述供应口之间。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述预加热区域设置在所述加热区域和所述供应口之间，以允许气体在所述加热区域之前穿过所述预加热区域。