[发明专利]一种高开口率掩膜板的制备方法及掩膜板

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件制造的技术领域，具体是一种高开口率的掩膜板的制备方法及方法制备得到的掩膜板。

背景技术

作为新一代的显示器件，有机发光显示器即OLED器件有着传统显示器不可比拟的优势，如自发光、不需要背光源、可实现超薄显示和柔性显示、驱动电压低、省电、反应速度快等等，被广泛应用。

RGB并置法是OLED器件实现全彩显示的一种基本方法。该方法将R/G/B单色器件作为子像素，并组合成一个像素实现全彩色显示。该方法充分利用了OLED器件的高效率特点，制作的屏体效率高、功耗低。在蒸镀R/G/B子像素时，一般采用精细掩膜板FMM。

如图1所述，现有技术的掩膜板包括掩膜板主体区02，掩膜板主体连接桥03，分布在所述掩膜板主体区02和掩膜板主体连接桥03之间的掩膜板开口01。FMM中，采用带有开孔的Invar(因瓦合金)材质的掩膜板绑定在不锈钢的框架上，掩膜板的厚度一般在40-50微米之间。在蒸镀R/G/B子像素时，通过磁铁将掩膜板与基板紧密贴合。但是在Invar 材质的掩膜板上制备开孔的方法只能是湿法刻蚀，而开孔都很小，湿法刻蚀的定位精准度较差，容易导致最后得到的开孔的位置具有较大偏差。导致金属掩膜法FMM无法实现高分辨率屏体的蒸镀，金属掩膜法FMM法制备得到的屏体的最高分辨率为320PPI(Pixels Per Inch-每英寸所拥有的像素数目)左右。因此目前蒸镀业内对高PPI的追求导致对蒸镀掩膜板对开口率要求越来越高。

发明内容

为此，本发明所要解决的技术问题在于现有技术中的Invar(因瓦合金)掩膜板开口率低且开孔的位置具有较大偏差导致无法实现高分辨率屏体的蒸镀，进而提供一种高开口率掩膜板的制备方法，该方法制备得到的掩膜板具有较高的开口率。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：

一种高开口率掩膜板的制备方法，包括如下步骤：

S1、在掩膜板表面涂布光固化材料，并对掩膜板主体区和连接桥保留区的光固化材料进行紫外光照射固化形成低聚合物，清洗去除接连桥待腐蚀区表面未被固化的光固化材料后，

S2、将步骤S1制备的表面涂布有低聚合物的掩膜板浸入到腐蚀性溶液中去除掉连接桥待腐蚀区，得到表面涂布有低聚合物的高开口率掩膜板；

S3：去除掩膜板表面的低聚合物，即得高开口率掩膜板。

所述步骤S1中，所述掩膜板主体连接桥划分为连接桥保留区和设置在所述连接桥保留区两侧的连接桥待腐蚀区。

所述连接桥待腐蚀区的面积为所述连接桥保留区面积的30％-50％。

所述步骤S1中，所述的低聚合物为聚酰亚胺。

所述步骤S2中，将表面涂布有低聚合物的掩膜板浸入到浓度为 80-95％的FeCl₃溶液，在通电电压为70-100v的条件下浸泡30-300秒去除掉连接桥待腐蚀区，得到表面涂布有低聚合物的高开口率掩膜板。

所述步骤S3为：涂布有低聚合物的掩膜板放置于二甲基乙酰胺的溶液中浸泡10-25分钟。

所述步骤S1采用有机溶液清洗去接除接桥待腐蚀区表面未被固化的光固化材料。

一种上述方法制备得到的高开口率掩膜板，包括掩膜板主体区，用于连接所述掩膜板主体区的连接桥保留区，分布在所述掩膜板主体区和连接桥保留区之间的掩膜板开口。

本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

(1)本发明所述的高开口率掩膜板的制备方法是在掩膜板表面涂布光固化材料，并对掩膜板主体区和连接桥保留区的光固化材料进行紫外光照射固化形成低聚合物，清洗去除连接桥待腐蚀区表面未被固化的光固化材料后，再将掩膜板浸入到腐蚀性溶液氯化铁溶液中去除掉连接桥待腐蚀区，然后再去除掩膜板表面的低聚合物，得到高开口率掩膜板。与现有技术相比，通过减小掩膜板主体连接桥的宽度，可以有效增大掩膜板的开口率，具体大概可以使开口率增大30-50％。

(2)本发明的光固化材料采用紫外光固化后形成低聚合物度的聚酰亚胺，其可以有效的保护掩膜板主体区和连接桥保留区在腐蚀去除连接桥待腐蚀区过程中的完整性，而将其放置于二甲基乙酰胺的溶液中时可以很容易的从掩膜板的表面去除。

(3)本发明采用腐蚀溶液刻蚀连接桥的一部分，在增大开口率的过程中不会对掩膜板的平整度有影响，且可以保证掩膜板开口位置不发生偏差，进而保证了后续使用过程中的蒸镀精度。

附图说明