[发明专利]一种高开口率掩膜板的制备方法及掩膜板有效
| 申请号： | 201410809458.1 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104505471B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张秀玉;刘周英;党鹏乐;张小宝 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 开口 率掩膜板 制备 方法 掩膜板 | ||
1.一种高开口率掩膜板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在掩膜板表面涂布光固化材料，并对掩膜板主体区(02)和连接桥保留区(05)的光固化材料进行紫外光照射固化形成低聚合物，清洗去除连接桥待腐蚀区(04)表面未被固化的光固化材料；
S2、将步骤S1制备的表面涂布有低聚合物的掩膜板浸入到腐蚀性溶液中去除掉连接桥待腐蚀区(04)，得到表面涂布有低聚合物的高开口率掩膜板；
S3：去除掩膜板表面的低聚合物，即得高开口率掩膜板。
2.根据权利要求1所述的高开口率掩膜板的制备方法，其特征在于：
所述步骤S1中，所述掩膜板主体连接桥(03)划分为连接桥保留区(05)和设置在所述连接桥保留区(05)两侧的连接桥待腐蚀区(04)。
3.根据权利要求1所述的高开口率掩膜板的制备方法，其特征在于：所述连接桥待腐蚀区(04)的面积为所述连接桥保留区(05)面积的30％-50％。
4.根据权利要求1所述的高开口率掩膜板的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述的低聚合物为聚酰亚胺。
5.根据权利要求1所述的高开口率掩膜板的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，将表面涂布有低聚合物的掩膜板浸入到浓度为80-95％的FeCl3溶液，在通电电压为70-100v的条件下浸泡30-300秒去除掉连接桥待腐蚀区(04)，得到表面涂布有低聚合物的高开口率掩膜板。
6.根据权利要求1所述的高开口率掩膜板的制备方法，其特征在于：所述步骤S3为：涂布有低聚合物的掩膜板放置于二甲基乙酰胺的溶液中浸泡10-25分钟。
7.根据权利要求1所述的高开口率掩膜板的制备方法，其特征在于：所述步骤S1采用有机溶液清洗去除连接桥待腐蚀区(04)表面未被固化的光固化材料。
8.一种权利要求1-7任一方法制备得到的高开口率掩膜板，其特征在于，包括掩膜板主体区(02)，用于连接所述掩膜板主体区(02)的连接桥保留区(05)，分布在所述掩膜板主体区(02)和连接桥保留区(05)之间的掩膜板开口(01)。
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