[发明专利]用于120~160℃的高Bs低损耗锰锌铁氧体材料及其制造方法有效
| 申请号: | 201410809234.0 | 申请日: | 2014-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN104529426A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
| 发明(设计)人: | 黄爱萍;谭福清;豆小明;汪南东 | 申请(专利权)人: | 江门安磁电子有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/38 | 分类号: | C04B35/38;C04B35/622 |
| 代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 江侧燕 |
| 地址: | 529080 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 120 160 bs 损耗 铁氧体 材料 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种锰锌铁氧体材料及制造方法,特别涉及一种用于120~160℃的高Bs低损耗MnZn功率铁氧体材料及其制造方法,属于电子元器件用金属功能材料制造技术的新材料高新技术领域。
背景技术
常规应用于超过100℃高温条件下的软磁锰锌铁氧体材料,如专利文献CN102219486B所述高温低损耗锰锌功率铁氧体磁心应用于120~150℃,140℃的Bs未超过370mT,不利于电器器件的功率密度提高。高温Bs偏低是常规高温低损耗材料的缺陷,为适应电子设备小型化轻量化的发展方向,常规高温低损耗材料的高温Bs亟需提高。
增加主成分中的Fe2O3含量是提高锰锌铁氧体材料高温Bs的有效手段,特别是当Fe2O3含量超过60mol%时,锰锌铁氧体材料高温Bs显著提高。如专利文献CN102163480A所述LED照明控制电路用磁性材料Fe2O3:59.5~61.8mol%,ZnO:9~12mol%,余量为MnO,在100℃条件下的饱和磁通密度大于500mT,但适应的工作温度较低;又如专利文献CN1662470A所述包含Fe2O3:62~68mol%、ZnO:12~20mol%的MnZn铁氧体烧结体100℃的Bs高达519mT,但其“底限温度”基本在80~100℃范围,不适用于高温条件,而且还添加了昂贵的金属镍氧化物;还如专利文献CN100532321C所述由63~80mol%的Fe2O3、3~15mol%的ZnO及剩余部分的氧化锰构成的铁氧体烧结体,虽有磁心损耗达到最小的温度在140℃以上的方案,但是其损耗值为50kHz、150mT条件下的,根据磁心损耗正比于频率的1-2次方、磁通密度的2-3次方,其100kHz、200mT条件下的损耗将增大4-10倍,显然损耗太大不能使用。
发明内容
常规高温低损耗材料的高温Bs太低,而现有高温Bs高的材料又不适用于高温条件,本发明的目的在于提供一种简单易行的低成本的用于120~160℃的高Bs低损耗MnZn功率铁氧体材料及其制造方法。该铁氧体材料主成分为Fe2O3:68.2mol%-69.8mol%、ZnO:15mol%-18.3mol%、余量为MnO,其中Fe2O3的摩尔百分比含量a mol%和ZnO的摩尔百分比含量b mol%满足1662≤22×a+11×b≤1702的条件。为了描述简便,可进行以下定义:X=22×a+11×b。通过配料、混料、预烧、二磨、造粒、成型、烧结等工艺步骤制成,该材料烧结密度达到理论密度的95%,功率损耗达到最小值的温度范围为120~160℃,而且在140℃时的饱和磁通密度Bs可达430mT以上。
本发明所采取的技术方案是:
用于120~160℃的高Bs低损耗锰锌铁氧体材料,其特征在于:所述铁氧体材料主成分为Fe2O3:68.2mol%-69.8mol%、ZnO:15mol%-18.3mol%、余量为MnO,其中Fe2O3的摩尔百分比含量a mol%和ZnO的摩尔百分比含量b mol%满足1662≤22×a+11×b≤1702的条件。
优选的,所述主成分经过预烧得到预烧料,基于预烧料的总重量,作为辅助成分的添加量为(1)、SiO2:40ppm-100ppm;,
(2)、CaCO3:400ppm-900ppm,和/或
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