[发明专利]用于加工半导体器件的方法

说明书

技术领域

各种实施例通常涉及用于加工半导体器件的方法。

背景技术

典型地，半导体器件要求最终金属（或金属化）层。为此，金属层比如被沉积在半导体器件的整个表面之上，例如铝层借助于溅射工艺被沉积，被结构化并且被钝化（例如借助于包含借助于化学气相沉积来沉积的氮化物层和等离子体氧化物层的堆叠）。替选地，金属可以被电镀在已经结构化的抗蚀剂掩膜中（例如铜的流电沉积）。

然而，对于半导体器件的最终组装，典型地要求金属层的开口部分（即开口键合焊盘）。借助于使用卤素的刻蚀将钝化层开口典型地导致开口的焊盘的污染，所述开口的焊盘可能在从前端加工进行到后端加工的过程中和在后端加工（例如锯切）期间腐蚀。这可能导致键合质量的高波动。在极端情形下，焊盘可能是不可键合的（NSOP，不粘附在焊盘上的问题）。进一步，腐蚀的焊盘可能降低完成的半导体器件的可靠性。

发明内容

依据一个实施例，提供用于加工半导体器件的方法，所述方法包含：形成最终金属层；在最终金属层之上形成钝化层；并且结构化钝化层和最终金属层以形成图案化的金属层和图案化的钝化层，其中图案化的金属层包含被图案化的钝化层覆盖的焊盘区。

依据另一个实施例，提供用于加工半导体器件的方法，所述方法包含：形成最终金属层；将处于不完全固化的状态的第一钝化层沉积在最终金属层之上；在第一钝化层处于不完全固化的状态时结构化第一钝化层以将最终金属层的部分开口；在第一钝化层处于不完全固化的状态时将第二钝化层沉积在第一钝化层之上以及在最终金属层的部分之上；并且在沉积第二钝化层之后，至少部分地固化第一钝化层。

依据进一步实施例，提供用于加工半导体器件的方法，所述方法包含：形成最终金属层；将第一钝化层沉积在最终金属层之上；部分地使第一钝化层聚合；在第一钝化层处于部分聚合的状态时结构化第一钝化层以将最终金属层的部分开口；在第一钝化层处于部分聚合的状态时将第二钝化层沉积在第一钝化层之上以及在最终金属层的部分之上；并且在沉积第二钝化层之后，使第一钝化层聚合。

附图说明

在附图中，贯穿不同视图，相同的参考字符通常指的是相同的部分。附图不必成比例，而通常将重点放在图解本发明的原理上。在下面的描述中，参考附图描述本发明的各种实施例，在附图中：

图1示出图解依据实施例的用于加工半导体器件的方法的流程图。

图2示出图解依据另一个实施例的用于加工半导体器件的方法的流程图。

图3示出图解依据进一步实施例的用于加工半导体器件的方法的流程图。

图4A到4E示出依据实施例的用于加工半导体器件的方法中的各种阶段。

图5A到5D示出依据实施例的用于加工半导体器件的方法中的各种阶段。

图6示出图解可以在依据各种实施例的用于加工半导体器件的方法中被用来生长包含氧化铝的层的原子层沉积工艺的工艺原理的各种视图。

具体实施方式

下面的详细描述参考附图，所述附图通过图解的方式示出在其中可以实践本发明的特定细节和实施例。这些实施例被足够详细描述以使本领域技术人员能够实践本发明。可以采用其它实施例并且可以进行结构、逻辑、和电气改变而没有脱离本发明的范围。各种实施例不必相互排斥，因为一些实施例能够与一个或多个其它实施例组合以形成新的实施例。各种用于结构或器件的实施例被描述，并且各种用于方法的实施例被描述。可以理解的是连同结构或器件被描述的一个或多个（例如所有的）实施例可以等同地可应用到方法，并且反之亦然。

词“示范性的”在本文中被用来表示“用作示例、实例、或图解”。在本文中描述为“示范性的”任何实施例或设计不必被理解为与其它实施例或设计相比是优选的或有优势的。

在本文中用来描述“在侧或表面之上”形成特征（例如层）的词“在...之上”可以被用来表示特征（例如层）可以“直接地在暗示的侧或表面上”形成，例如与暗示的侧或表面直接接触。在本文中用来描述“在侧或表面之上”形成特征（例如层）的词“在...之上”可以被用来表示特征（例如层）可以“间接地在暗示的侧或表面上”形成，其中一个或多个额外的层被布置在暗示的侧或表面和形成的层之间。

在一个或多个实施例中，术语“最终金属层”可以包含（比如包含半导体器件的晶片或芯片的）半导体器件的最终金属化级（例如顶金属化级）的金属层。