[发明专利]用于加工半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于加工半导体器件的方法，包括：

形成最终金属层；

在最终金属层之上形成钝化层；

结构化钝化层和最终金属层以形成图案化的金属层和图案化的钝化层，其中图案化的金属层包含被图案化的钝化层覆盖的焊盘区。

2.依据权利要求1的所述方法，其中钝化层包括金属氧化物。

3.依据权利要求2的所述方法，其中金属氧化物是与最终金属层的材料的自然氧化物不同的氧化物。

4.依据权利要求1的所述方法，其中钝化层包括氧化铝。

5.依据权利要求1的所述方法，其中钝化层借助于原子层沉积工艺形成在最终金属层之上。

6.依据权利要求5的所述方法，其中原子层沉积工艺包括铝前体，所述铝前体包括三甲基铝。

7.依据权利要求5的所述方法，其中原子层沉积工艺包括来自下面氧化前体组的至少一个氧化前体，该氧化前体组由水、醇、异丙醇、乙醇和甲醇组成。

8.依据权利要求1的所述方法，其中钝化层在最终金属层的整个表面之上形成。

9.依据权利要求1的所述方法，其中结构化钝化层和最终金属层包括：形成掩膜，图案化掩膜，并且使用图案化的掩膜刻蚀钝化层和金属层。

10.依据权利要求9的所述方法，其中掩膜包括刻蚀抗蚀剂。

11.依据权利要求9的所述方法，其中掩膜覆盖焊盘区。

12.依据权利要求1的所述方法，其中刻蚀钝化层和金属层包括干法刻蚀或湿法刻蚀钝化层和金属层。

13.依据权利要求1的所述方法，其中最终金属层包括来自下面金属组的至少一个金属，该金属组由铜、银、钯、钨、铝和锡组成。

14.一种用于加工半导体器件的方法，包括：

形成最终金属层；

将处于不完全固化的状态的第一钝化层沉积在最终金属层之上；

在第一钝化层处于不完全固化的状态时结构化第一钝化层以将最终金属层的部分开口；

在第一钝化层处于不完全固化的状态时将第二钝化层沉积在第一钝化层之上以及在最终金属层的部分之上；并且

在沉积第二钝化层之后，至少部分地固化第一钝化层。

15.依据权利要求14的所述方法，其中在第一钝化层的固化期间第一钝化层收缩并且沉积在第一钝化层上的第二钝化层的部分与第一钝化层分离或沉入第一钝化层中。

16.依据权利要求14的所述方法，其中第一钝化层包含有机前体。

17.依据权利要求14的所述方法，其中第一钝化层包含酰亚胺。

18.依据权利要求14的所述方法，其中第一钝化层包含光敏聚酰亚胺。

19.依据权利要求14的所述方法，其中至少部分地固化第一钝化层包含将第一钝化固化到比不完全固化的状态更完全固化的状态。

20.依据权利要求14的所述方法，其中至少部分地固化第一钝化层包含硬烘第一钝化层。

21.依据权利要求14的所述方法，其中至少部分地固化第一钝化包含使第一钝化层聚合。

22.依据权利要求14的所述方法，其中第二钝化层包含金属氧化物。

23.依据权利要求14的所述方法，其中第二钝化层借助于原子层沉积工艺被沉积。

24.依据权利要求14的所述方法，其中第二钝化层形成在金属层的部分和第一钝化层的整个表面之上。

25.一种用于加工半导体器件的方法，包括：

形成最终金属层；

将第一钝化层沉积在最终金属层之上；

部分地使第一钝化层聚合；

在第一钝化层处于部分聚合的状态时结构化第一钝化层以将最终金属层的部分开口；

在第一钝化层处于部分聚合的状态时将第二钝化层沉积在第一钝化层之上以及在最终金属层的部分之上；并且

在沉积第二钝化层之后，使第一钝化层聚合。