[发明专利]一种多孔硅纳米线NO2气体传感器的制备方法

权利要求书

1.一种多孔硅纳米线NO₂气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)配制HF和AgNO₃的混合溶液，其中HF浓度为3～6M，AgNO₃浓度3～8mM，在磁力搅拌的同时将硅片浸入其中，保持50～80s,使其表面沉积一层均匀的Ag颗粒；

(2)配制HF和H₂O₂的混合溶液，其中HF浓度为3～6M，H₂O₂浓度为0.1～1M，在20～60℃的恒温水浴下将镀Ag后的硅片放入其中腐蚀10～40min；

(3)配制浓HNO₃和去离子水体积比1:1的溶液，去除样品表面残余的Ag颗粒；

(4)配制10～40mM的AgNO₃溶液，将上述处理后的样品放在其中浸泡3～5min，使其表面沉积一层Ag纳米颗粒，得到多孔硅纳米线NO₂气体传感器；

或(5)用磁控溅射方法替代(4)，将(1)～(3)处理后的样品放入FJL-5600型离子束表面处理与附着模拟装置内，固定电压为0.4kV,电流为100mA，磁控溅射30～60s,使其表面沉积一层Ag纳米颗粒，得到多孔硅纳米线NO₂气体传感器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将多孔硅纳米线NO₂气体传感器放在空气中，加上固定的电压，测定空气中器件的基准电阻值；将校准后的多孔硅纳米线NO₂气体传感器放在待检测NO₂气体环境中，加上相同电压后，测出此时器件的电阻值；根据电阻值的差值，判断待测环境中NO₂气体及其浓度。