[发明专利]嵌入式晶体管

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一组沟槽和第二组沟槽的衬底；

将介电材料设置在所述第一组沟槽和所述第二组沟槽中；

去除所述第二组沟槽中的所述介电材料；

将电介质生长改性剂注入到第二组沟槽中的第一沟槽的第一侧壁内；以及

沿着所述第二组沟槽中的第一沟槽的第一侧壁和底部形成栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层沿着所述第一侧壁以不同于沿着所述底部的速率形成，使得所述栅极绝缘层沿着所述第一侧壁具有逐减的厚度。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述电介质生长改性剂包括氟。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：将所述电介质生长改性剂注入到所述第二组沟槽中的第一沟槽的不同于所述第一侧壁的第二侧壁内。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中，以大于零的第一角度实施将所述电介质生长改性剂注入到所述第一侧壁内。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第一角度大于所述第一沟槽的宽度除以所述第一沟槽的高度的反正切。

6.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中，以与所述第一角度相对的第二角度将所述电介质生长改性剂注入到所述第二侧壁内。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二组沟槽中的第一沟槽具有不包括所述电介质生长改性剂的第二侧壁，其中，所述第二侧壁不同于所述第一侧壁。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底中形成第一沟槽和第二沟槽；

通过第一介电材料层填充所述第一沟槽和第二沟槽；

从所述第二沟槽中去除所述第一介电材料层，其中，在去除所述第一介电材料层之后，暴露所述第二沟槽的底部；

以第一角度将第一电介质生长改性剂注入到所述第二沟槽的第一侧壁内；

将第二电介质生长改性剂注入到所述第二沟槽的不同于第一侧壁的第二侧壁内，其中，以不同于所述第一角度的第二角度实施所述第二电介质生长改性剂的注入；以及

沿着所述第二沟槽的底部、所述第一侧壁和所述第二侧壁生长栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层沿着所述第二沟槽的底部具有第一厚度，所述第一厚度小于栅极绝缘层沿着所述第一侧壁和所述第二侧壁具有的第二厚度。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，所述电介质生长改性剂包括氟。

10.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第一角度大于所述第二沟槽的宽度除以所述第二沟槽的高度的反正切。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二角度大于所述第二沟槽的宽度除以所述第二沟槽的高度的反正切并且与所述第一角度相对。

12.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，还包括：将栅电极沉积在所述第二沟槽内。

13.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，生长所述栅极绝缘层包括原位蒸汽生成工艺。

14.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，生长所述栅极绝缘层包括化学汽相沉积工艺。