[发明专利]玻璃层叠体的制造方法和电子器件的制造方法有效
申请号: | 201410790744.8 | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN104708885B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 日野有一;大坪豊;永野琢也;宇津木洋;宫越达三 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | B32B37/06 | 分类号: | B32B37/06;B32B37/10;B32B38/10;B32B38/00;G02F1/13;H01L51/50;H01L21/02;H05B33/02;H05B33/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 层叠 制造 方法 电子器件 | ||
1.一种玻璃层叠体的制造方法,所述玻璃层叠体依次具有支撑基板、有机硅树脂层和玻璃基板,该方法包括下述工序:
加热工序,其中,将具备具有第一主面和第二主面的支撑基板以及配置在所述支撑基板的所述第一主面上的固化性有机硅组合物层的带固化性层的支撑基板从所述支撑基板的所述第二主面侧用多个支撑销进行支撑,对所述带固化性层的支撑基板实施加热处理,形成有机硅树脂层;
层叠工序,其中,在所述加热工序后,在所述有机硅树脂层上层叠玻璃基板;
表面处理工序,其中,在所述层叠工序后、或者在所述加热工序后且所述层叠工序前,至少对所述支撑基板的所述第二主面实施选自由电晕处理、等离子体处理和UV臭氧处理组成的组中的至少1种处理。
2.根据权利要求1所述的玻璃层叠体的制造方法,其中,所述固化性有机硅组合物层至少含有具有链烯基的有机链烯基聚硅氧烷和具有与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷。
3.根据权利要求1所述的玻璃层叠体的制造方法,其中,所述加热工序依次具备在第1温度实施加热处理的第1加热工序以及在高于所述第1温度的第2温度实施加热处理的第2加热工序。
4.根据权利要求2所述的玻璃层叠体的制造方法,其中,所述加热工序依次具备在第1温度实施加热处理的第1加热工序以及在高于所述第1温度的第2温度实施加热处理的第2加热工序。
5.根据权利要求3所述的玻璃层叠体的制造方法,其中,所述带固化性层的支撑基板通过将含有固化性有机硅和溶剂的固化性有机硅组合物涂布在所述支撑基板的所述第一主面上而形成,
所述第1温度满足:所述溶剂的初馏点-30℃≤第1温度≤所述溶剂的初馏点+30℃。
6.根据权利要求4所述的玻璃层叠体的制造方法,其中,所述带固化性层的支撑基板通过将含有固化性有机硅和溶剂的固化性有机硅组合物涂布在所述支撑基板的所述第一主面上而形成,
所述第1温度满足:所述溶剂的初馏点-30℃≤第1温度≤所述溶剂的初馏点+30℃。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的玻璃层叠体的制造方法,其中,在所述层叠工序后,实施表面处理工序。
8.根据权利要求7所述的玻璃层叠体的制造方法,其中,在所述表面处理工序中,沿着所述玻璃层叠体的输送方向排列多个电极对,所述电极对具备隔着输送所述层叠工序中得到的玻璃层叠体的输送路径而相向的高压电极和接地电极,将相邻的所述电极对中的一个高压电极配置于隔着所述输送路径的一侧,将另一个高压电极配置于隔着所述输送路径的另一侧,
一边沿着所述输送路径输送所述玻璃层叠体,一边对所述高压电极施加高频电压,对所述玻璃层叠体实施电晕处理。
9.一种电子器件的制造方法,该方法包括下述工序:
构件形成工序,其中,在通过根据权利要求1~8中任一项所述的制造方法制造的玻璃层叠体的所述玻璃基板的表面上形成电子器件用构件,得到带电子器件用构件的层叠体;
分离工序,其中,从所述带电子器件用构件的层叠体去除具有所述有机硅树脂层和所述支撑基板的带树脂层的支撑基板,得到具有所述玻璃基板和所述电子器件用构件的电子器件。
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