[发明专利]自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法。

背景技术

目前，为了进一步提高太阳能电池的效率并降低成本，业内广泛采用选择性扩散(SE)来制备高效电池，常规会有两种方法制备：一是先轻扩后利用掩膜重扩，形成选择性发射结，此法需要高精度对准，二是重扩散后利用掩膜刻蚀，形成轻扩散区，此法需要特殊清洗设备且成本较高。以上两法均需要特殊的刻蚀浆料，成本较高，不利于大规模生产。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，它能够减少选择性扩散电池的高温过程及精准的对准过程以及特殊刻蚀浆料的准备，大大减低了生产成本，更适合工业化大规模生产。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，该方法的步骤如下：

(a)硅基体清洗，去除损伤层，并在硅基体的正面制绒；

(b)再在硅基体正面的制绒面上采用原子层沉积法沉积三氧化二铝层，然后再在三氧化二铝层的上表面旋涂磷源；

(c)再将经过步骤(b)处理后的硅基体放置在温度环境中沉积，使三氧化二铝层内部产生气泡，从而使磷源扩散形成自对准选择性发射结，该自对准选择性发射结在三氧化二铝层的起泡区域形成重扩散区，非起泡区形成轻扩散区；

(d)洗去三氧化二铝层，再放入温度环境中，使自对准选择性发射结推进，达到所需的结深和表面浓度；

(e)对硅基体的背面清洗；

(f)再在对准选择性发射结的上表面沉积减反射膜；

(g)正、背面分别进行金属化；

(h)烧结并测试后，得到成品。

进一步，所述的硅基体为P型直拉单晶硅。

进一步，所述的硅基体的电阻率为1-6ohm·cm。

进一步，在所述的步骤(b)中，三氧化二铝层的厚度为7nm。

进一步，在所述的步骤(c)中，温度环境的温度值为500℃。

进一步，在所述的步骤(d)中，温度环境的温度值为700℃。

进一步，在所述的步骤(g)中，正面采用银浆进行金属化形成正面银栅极，背面采用铝浆进行金属化形成背场，再在背场上采用银浆形成背面银栅极。

采用了上述技术方案后，本发明利用原子膜沉积的Al₂O₃层本身的性质形成自对准选择性发射结，Al₂O₃层在温度环境中容易起泡，无需高精度对准和特殊的刻蚀浆料，不需要高温形成掩膜，更利于工业化大规模生产。

附图说明

图1为本发明的自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法所形成的电池结构是示意图。

具体实施方式

为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明。

如图1所示，一种自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，该方法的步骤如下：

(a)硅基体1清洗，去除损伤层，并在硅基体1的正面碱制绒；

(b)再在硅基体1正面的制绒面上采用原子层沉积法沉积三氧化二铝层，然后再在三氧化二铝层的上表面旋涂磷源；

(c)再将经过步骤(b)处理后的硅基体1放进炉管，在温度环境中沉积，使三氧化二铝层内部产生气泡，从而使磷源扩散形成自对准选择性发射结2，该自对准选择性发射结在三氧化二铝层的起泡区域形成重扩散区21，非起泡区形成轻扩散区22；

(d)洗去三氧化二铝层，再次进入炉管，放入温度环境中，使自对准选择性发射结2推进30min，达到所需的结深和表面浓度；

(e)对硅基体1的背面清洗；

(f)再在对准选择性发射结2的上表面沉积减反射膜3；

(g)正、背面分别进行金属化；

(h)烧结并测试后，得到成品。

其中，所述的硅基体为P型直拉单晶硅，它的电阻率为3ohm·cm；当然也可以选择1ohm·cm或6ohm·cm。

在所述的步骤(b)中，三氧化二铝层的厚度为7nm。

在所述的步骤(c)中，温度环境的温度值为500℃。

在所述的步骤(d)中，温度环境的温度值为700℃。

在所述的步骤(g)中，正面采用银浆进行金属化形成正面银栅极4，背面采用铝浆进行金属化形成背场5，再在背场上采用银浆形成背面银栅极6。

本发明的工作原理如下：