[发明专利]自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法有效
| 申请号： | 201410789712.6 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104485389A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈艳 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 213022 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 选择性 扩散 太阳能电池 形成 方法 | ||
1.一种自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，其特征在于该方法的步骤如下：
(a)硅基体清洗，去除损伤层，并在硅基体的正面制绒；
(b)再在硅基体正面的制绒面上采用原子层沉积法沉积三氧化二铝层，然后再在三氧化二铝层的上表面旋涂磷源；
(c)再将经过步骤(b)处理后的硅基体放置在温度环境中沉积，使三氧化二铝层内部产生气泡，从而使磷源扩散形成自对准选择性发射结，该自对准选择性发射结在三氧化二铝层的起泡区域形成重扩散区，非起泡区形成轻扩散区；
(d)洗去三氧化二铝层，再放入温度环境中，使自对准选择性发射结推进，达到所需的结深和表面浓度；
(e)对硅基体的背面清洗；
(f)再在对准选择性发射结的上表面沉积减反射膜；
(g)正、背面分别进行金属化；
(h)烧结并测试后，得到成品。
2.根据权利要求1所述的自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，其特征在于：所述的硅基体为P型直拉单晶硅。
3.根据权利要求2所述的自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，其特征在于：所述的硅基体的电阻率为1-6ohm·cm。
4.根据权利要求1所述的自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，其特征在于：在所述的步骤(b)中，三氧化二铝层的厚度为7nm。
5.根据权利要求1所述的自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，其特征在于：在所述的步骤(c)中，温度环境的温度值为500℃。
6.根据权利要求1所述的自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，其特征在于：在所述的步骤(d)中，温度环境的温度值为700℃。
7.根据权利要求1所述的自对准选择性扩散的太阳能电池形成方法，其特征在于：在所述的步骤(g)中，正面采用银浆进行金属化形成正面银栅极，背面采用铝浆进行金属化形成背场，再在背场上采用银浆形成背面银栅极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
