[发明专利]一种超薄PI覆盖膜及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及覆盖膜技术领域，具体地，涉及一种超薄PI覆盖膜及其制备方法。

背景技术

近年来,随着智能手机的迅速发展，轻薄、便携、低成本成为移动电子产品的主要潮流。电子产品对应所用的挠性线路板也变得越来越薄，不仅要求基材所用的铜箔和PI膜变薄，而且覆盖膜用的PI膜也要更薄。业界广泛使用12μmPI膜涂以改性环氧树脂或丙烯酸树脂而得到通用的覆盖膜。现今要求PI膜厚度进一步下降，业界已量产开发出10μm和8μmPI膜，但对于5μm及以下厚度，一般厂商量产几乎不可能。对于PI膜生产厂来说，制造3μm、5μmPI膜的难度很大，成品率低，因而成本居高不下，而且用3μm、5μmPI膜生产覆盖膜和线路板生产操作难度也极大，不利于使用，影响到挠性线路板的进一步薄型化。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供了一种超薄PI覆盖膜及其制备方法，所述超薄PI覆盖膜不仅提高线路板的耐静态弯折性，降低线路板在使用超薄PI覆盖膜的生产难度，提高操作性和生产效率，而且满足挠性板的各项性能要求。

本发明的技术方案如下：一种超薄PI覆盖膜，包括PI膜和设于其一侧的离型纸，以及二者之间的粘胶剂层，其特征在于，所述PI膜厚度为3-9μm，所述PI膜另一侧还设有金属箔片。

所述金属箔片为铝箔，铜箔或镍箔。

所述金属箔片厚度为12-50μm。

所述超薄PI覆盖膜的制备方法，包括如下步骤：

(1)配置聚酰亚胺酸预聚体(PAA)溶液，在无油金属箔片上涂布一层聚酰亚胺酸预聚体(PAA)溶液，控制涂层的干燥厚度为3-9μm，经过120℃-150℃-160℃连续烘箱烘干，再经连续高温烘箱180-360℃亚胺化后，形成超薄PI膜；

(2)将对所述超薄PI膜电晕，在其一侧涂布覆盖膜胶液，烘干后，与离型膜复合，得超薄PI覆盖膜。

所述覆盖膜胶液为环氧改性树脂胶液或丙烯酸树脂胶液。

所述聚酰亚胺酸预聚体的制备方法为：当量比为0.95-1.05的二胺和二酐单体，在25℃的二甲基乙酰亚胺(DMAC)或N甲基吡咯烷酮(NMP)溶液中聚合4-8小时，得到固体含量为13-20％PAA溶液，或者当量比为0.95-1.05的二胺和二酐单体在氮气保护下反应4-8小时得到PAA。

所述二胺为对苯二胺(p-PDA)、对二苯醚二胺(ODA)或其它带二胺结构的单体或其混合物；所述二酐单体是对联苯四甲酸二酐(BPDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)的异构体或同族系列二酸酐单体或混合物。

较佳地，所述聚酰亚胺预聚体的的制备方法为：分别取100份p-PDA，30-60份ODA，200-300份BPDA，65-80份PMDA，1600-3000份DMAC，先将p-PDA和ODA溶解在DMAC中，再分别一边搅拌一边加PMDA和BPDA，加完后，在氮气保护下反应4-8小时得到预聚体PAA。

本发明所述超薄PI覆盖膜在使用时，先将超薄PI覆盖膜与蚀刻覆铜板压合，胶粘剂固化后，用稀盐酸或其它腐蚀液将金属箔片蚀去。

本发明的有益效果为：本发明所述超薄PI覆盖膜及其制备方法不仅提高了线路板的耐静态弯折性，降低了线路板在使用超薄PI覆盖膜的生产难度，提高了操作性和生产效率，而且满足挠性板的各项性能要求。

附图说明

图1为本发明所述超薄PI覆盖膜的结构示意图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式对进一步说明本发明，以帮助更好的理解本发明的内容，但这些具体实施方式不以任何方式限制本发明的保护范围。

一种超薄PI覆盖膜，包括PI膜10和设于其一侧的离型纸11，以及二者之间的粘胶剂层12。所PI膜10另一侧还设有金属箔片13。所述金属箔片为铝箔，铜箔或银箔。所述PI膜10厚度为3-9μm，所述金属箔片厚度为12-50μm。

配置聚酰亚胺酸预聚体：先将147份p-PDA边搅拌边加到3400份DMAC中，再加入68份ODA，在25℃的恒温控制，在通氮气的情况下，逐步加入400份BPDA和73份PMDA，恒温控制下持续搅拌4小时得到PAA，将PAA静置消泡备用。

实施例1

一种超薄PI覆盖膜的制备方法，包括如下步骤：

(1)配置上述聚酰亚胺酸预聚体(PAA)溶液，在中铝公司的18μm无油铝箔上涂布一层上述聚酰亚胺酸预聚体(PAA)溶液，控制涂层的干燥厚度为3μm，经过120℃-150℃-160℃连续烘箱烘干，再经连续高温烘箱180-360℃亚胺化后，形成超薄PI膜；