[发明专利]一种超薄PI覆盖膜及其制备方法

权利要求书

1.一种超薄PI覆盖膜，包括PI膜和设于其一侧的离型纸，以及二者之间的粘胶剂层，其特征在于，所述PI膜厚度为3-9μm，所述PI膜另一侧还设有金属箔片。

2.如权利要求1所述的超薄PI覆盖膜，其特征在于，所述金属箔片为铝箔，铜箔或镍箔。

3.如权利要求1所述的超薄PI覆盖膜，其特征在于，所述金属箔片厚度为12-50μm。

4.如权利要求1-3任一项所述的超薄PI覆盖膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)配置聚酰亚胺酸预聚体(PAA)溶液，在无油金属箔片上涂布一层聚酰亚胺酸预聚体(PAA)溶液，控制涂层的干燥厚度为3-8μm，经过120℃-150℃-160℃连续烘箱烘干，再经连续高温烘箱180-360℃亚胺化后，形成超薄PI膜；

(2)将对所述超薄PI膜电晕，在其一侧涂布覆盖膜胶液，烘干后，与离型膜复合，得超薄PI覆盖膜。

5.如权利要求4所述的超薄PI覆盖膜的制备方法，其特征在于，所述聚酰亚胺酸预聚体的制备方法为：当量比为0.95-1.05的二胺和二酐单体，在25℃的二甲基乙酰亚胺(DMAC)或N甲基吡咯烷酮(NMP)溶液中聚合4-8小时，得到固体含量为13-20％PAA溶液，或者当量比为0.95-1.05的二胺和二酐单体在氮气保护下反应4-8小时得到PAA。

6.如权利要求5所述的超薄PI覆盖膜的制备方法，其特征在于，所述二胺为对苯二胺(p-PDA)、对二苯醚二胺(ODA)或其它带二胺结构的单体或其混合物；所述二酐单体是对联苯四甲酸二酐(BPDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)的异构体或同族系列二酸酐单体或混合物。

7.用权利要求1-3任一项所述超薄PI覆盖膜制备线路板的方法，包括如下步骤，将超薄PI覆盖膜与线路板压合，胶粘剂固化后，用稀盐酸或其它腐蚀液将金属箔片蚀去。