[发明专利]从氮化镓芯片生产废料中回收镓、金的方法

权利要求书

1.一种从氮化镓芯片生产废料中回收镓、金的方法，其特征在于，将氮化镓芯片生产废料经过破碎，将获得的含有镓、金成分的颗粒物进行真空冶金分离，回收得到单质镓和金。

2.如权利要求1所述从氮化镓芯片生产废料中回收镓、金的方法，其特征在于，

(1)将氮化镓芯片生产废料破碎得到颗粒物；

(2)将步骤(1)得到的颗粒物置于耐高温坩埚中，把坩埚放入真空炉中；

(3)真空炉密封后启动真空系统抽气，使真空炉的压力为0.01～1.0Pa；

(4)启动真空加热炉电源，把坩埚中的样品加热到1000～1300℃，然后保持温度不变，使物料中的含镓化合物充分分解、金属镓、金充分蒸发，保温时间为1.0～3.0h；

(5)镓、金蒸气在冷凝器上分别得以冷凝，回收得到单质镓、金。

3.如权利要求2所述从氮化镓芯片生产废料中回收镓、金的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述颗粒物的粒径为0.05-0.15mm。

4.如权利要求2所述从氮化镓芯片生产废料中回收镓、金的方法，其特征在于，所述步骤(5)中，镓的冷凝温度区间为450～850℃，所述镓的回收率达到95％以上，纯度大于90％。

5.如权利要求2所述从氮化镓芯片生产废料中回收镓、金的方法，其特征在于，所述步骤(5)中，金的冷凝温度区间为750～1150℃，所述金的回收率达到95％以上，纯度大于80％。

6.如权利要求2所述的回收方法，其特征在于，所述步骤(5)中，所得残渣包括二氧化硅。