[发明专利]三维空间封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410781471.0 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104733450A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 吕保儒;吴明佳;吕绍维 | 申请（专利权）人： | 乾坤科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/495;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维空间 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种三维空间封装结构，其特征在于，包含：
一第一电子元件，具有一上表面和一下表面；
复数个第二电子元件，配置在该第一电子元件的该上表面上方；以及
一连接结构，配置在该第一电子元件的该上表面上方，用以包覆该复数个第二电子元件，其中该连接结构包含至少一绝缘层和被该至少一绝缘层所分离的复数个第一导电图案，其中该复数个第一导电图案配置在该复数个第二电子元件上方，以电性连接该复数个第二电子元件以及该第一电子元件，其中该复数个第一导电图案中的一导电图案通过导孔电性连接该复数个第二电子元件中的一电子元件与该第一电子元件，其中一环氧模造物层配置在该第一电子元件的该上表面上，其中该复数个第二电子元件和一第二导电图案配置在该环氧模造物层上，其中该第二导电图案电性连接该复数个第一导电图案。
2.根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于：一部分的该复数个第一导电图案电性连接该复数个第二电子元件中的至少两个电子元件。
3.根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于：该第一电子元件为一电感。
4.根据权利要求3所述的三维空间封装结构，其特征在于：该电感为一低温共烧陶瓷(LTCC)电感。
5.根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于：一绝缘层配置在该第一电子元件上以形成在该复数个第二电子元件上方的一实质水平面，其中该复数个第一导电图案配置在该实质水平面上方。
6.根据权利要求5所述的三维空间封装结构，其特征在于：该复数个第二电子元件的至少一接点配置在该实质水平面上。
7.根据权利要求5所述的三维空间封装结构，其特征在于：该复数个第二电子元件的所有接点配置在该实质水平面上。
8.根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于：至少一垫片配置在该连接结构的上表面上，用以连接外部电路。
9.根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于：各个该第二电子元件为一电容、一电阻、一二极管、一电晶体、一裸晶片或一集成电路。
10.根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于：该连接结构的该至少一绝缘层中每一层由ABF(Ajinomoto Build-up Film)制成。
11.根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于：该三维空间封装结构为一直流对直流转换器或一电力模块。
12.根据权利要求11所述的三维空间封装结构，其特征在于：该第一电子元件为一电感。
13.一种三维空间封装结构，其特征在于，包含：
一第一电子元件，具有一上表面和一下表面；
复数个第二电子元件，配置在该第一电子元件的该上表面上方；以及
一连接结构，配置在该第一电子元件的该上表面上方，用以包覆该复数个第二电子元件，其中该连接结构包含至少一绝缘层和被该至少一绝缘层所分离的复数个第一导电图案，其中该复数个第一导电图案配置在该复数个第二电子元件上方，以电性连接该复数个第二电子元件以及该第一电子元件，其中该复数个第一导电图案中的一导电图案通过导孔电性连接该复数个第二电子元件中的一电子元件与该第一电子元件，该第一电子元件的该上表面包含一凹洞，其中该复数个第二电子元件中至少一个配置在该凹洞中。
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