[发明专利]天线整合式封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种天线整合式封装结构的制造方法，包括：

提供一第一金属层；

配置一芯片于该第一金属层上，其中该芯片具有一第一接触垫以及一第二接触垫，该第一接触垫以及该第二接触垫朝向该第一金属层，其中该第一接触垫与该第二接触垫均电连接至该第一金属层；

覆盖且压合一多层板于该第一金属层与该芯片上，该多层板包括一填充胶层以及一第二金属层，该第二金属层位于该填充胶层上并电连接于该第一金属层，且该填充胶层包覆该芯片；

图案化该第一金属层；

覆盖一多层基板于图案化的该第一金属层，其中该多层基板远离图案化的该第一金属层的一侧具有一第三金属层；

形成一导通孔，该导通孔贯穿该多层基板并终止于该第一金属层电连接该第一接触垫处，

形成电镀导通孔结构于该导通孔中且该电镀导通孔结构连接该第三金属层以及该第一接触垫；以及

图案化该第二金属层以及该第三金属层，并形成一图案化的该第二金属层以及一图案化的该第三金属层，其中该图案化的该第三金属层包括位于该芯片下方的一天线图案，该天线图案通过该电镀导通孔结构而与该芯片电性连结。

2.如权利要求1所述的天线整合式封装结构的制造方法，还包括形成贯穿该第一金属层的一第一钻孔以及一第二钻孔，该第一钻孔暴露出该第一接触垫，且该第二钻孔暴露出该第二接触垫，并分别于该第一钻孔以及该第二钻孔中形成一第一金属填孔结构以及一第二金属填孔结构，以使该芯片电连接至该第一金属层。

3.如权利要求2所述的天线整合式封装结构的制造方法，其中该多层基板覆盖该第一金属填孔结构以及该第二金属填孔结构，且该导通孔终止于该第一金属填孔结构表面。

4.如权利要求2所述的天线整合式封装结构的制造方法，其中形成该第一钻孔以及该第二钻孔的方法包括利用激光钻孔的方式来形成钻孔。

5.如权利要求1所述的天线整合式封装结构的制造方法，还包括形成至少一电镀通孔结构，该电镀通孔结构贯穿该第一金属层以及该多层板，并电连接该第一金属层以及该第二金属层。

6.如权利要求5所述的天线整合式封装结构的制造方法，其中形成至少一电镀通孔结构的方法包括先利用机械钻孔的方式以形成至少一贯孔，贯穿该第一金属层以及该多层板，再以电镀方式形成该电镀通孔结构连接该第一金属层以及该第二金属层。

7.如权利要求1所述的天线整合式封装结构的制造方法，其中该多层基板还包括绝缘层与布线层，该绝缘层位于该天线图案以及该第一金属层之间，该布线层位于该绝缘层之中。

8.如权利要求1所述的天线整合式封装结构的制造方法，其中该芯片为射频芯片，而配置该芯片至该第一金属层上还包括先于该第一金属层上形成一底胶，再将该芯片黏至该底胶上，固化该底胶而使该芯片固着至第一金属层上。

9.如权利要求1所述的天线整合式封装结构的制造方法，其中该第二金属层为树脂铜箔或铜箔。

10.如权利要求1所述的天线整合式封装结构的制造方法，其中形成该导通孔的方法包括利用机械钻孔以及激光钻孔的方式来形成该导通孔。

11.一种天线整合式封装结构，包括：

叠层结构，包括第一金属层、第二金属层、位于该第一金属层与该第二金属层之间的填充胶层以及至少一芯片，其中该芯片内埋于填充胶层中，且该芯片具有第一接触垫以及第二接触垫，而且该第一金属层与该第一接触垫、该第二接触垫以及该第二金属层电连接；以及

多层基板，叠合于该叠层结构之上且覆盖于该第一金属层上，其中该多层基板至少包括一绝缘层与位于绝缘层上的第三金属层，该第三金属层位于该多层基板远离该第一金属层的一侧且至少包括一天线图案，该天线图案位于该芯片的下方，

该多层基板包括电镀导通孔结构贯穿该多层基板并与该第一接触垫连接，以电连接该天线图案以及该芯片。