[发明专利]一种LTPS像素单元及其制造方法

权利要求书

1.一种LTPS像素单元的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成缓冲层；

在缓冲层上形成间隔设置的半导体图案和公共电极图案；

在所述半导体图案上依次形成第一绝缘层、栅极图案和第二绝缘层，其中，所述栅极图案位于所述半导体图案的正上方，所述第一绝缘层和第二绝缘层进一步覆盖所述公共电极图案；

在所述第二绝缘层上形成源极图案和漏极图案，所述源极图案和所述漏极图案分别经所述第一绝缘层和第二绝缘层上的第一接触孔与所述半导体图案电连接；

在所述第二绝缘层上形成像素电极图案，其中所述像素电极图案不通过导通孔直接与所述源极图案或漏极图案电连接；

在所述像素电极图案、所述源极图案、所述漏极图案、所述第二绝缘层上形成钝化层；

其中，所述公共电极图案与所述漏极图案或者所述源极图案均不电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板上形成缓冲层之前，还包括：

在所述基板上形成遮光图案，其中，所述半导体图案位于所述遮光图案的正上方。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述基板上形成遮光图案的步骤包括：

在所述基板上形成遮光层；

通过第一道光罩工序对所述遮光层进行图案化，以形成所述遮光图案；

所述在缓冲层上形成间隔设置的半导体图案和公共电极图案的步骤包括：

在所述缓冲层上沉积一非晶硅层，并通过第二道光罩工序对所述非晶硅层进行图案化，以形成所述半导体图案；

在所述半导体图案上通过第三道光罩工序和第一掺杂工序在所述半导体图案上形成本征区域和位于所述本征区域两侧的重掺杂区域；

在所述缓冲层和所述半导体图案上形成第一导电层，并通过第四道光罩工序对所述第一导电层进行图案化，以形成所述公共电极图案。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体图案上依次形成第一绝缘层、栅极图案和第二绝缘层的步骤包括：

在所述第一绝缘层上形成第二导电层，并通过第五道光罩工序对所述第二导电层进行图案化，以形成所述栅极图案，所述栅极图案位于所述本征区域的正上方。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体图案上依次形成第一绝缘层、栅极图案和第二绝缘层的步骤还包括：

以所述栅极图案为掩模采用自对准的方式通过第二掺杂工序在所述半导体图案上形成位于所述本征区域与所述重掺杂区域之间的轻掺杂区域。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成源极图案和漏极图案的步骤包括：

通过第六道光罩工序分别在所述第一绝缘层和第二绝缘层的对应所述重掺杂区域的位置形成所述第一接触孔；

在所述第二绝缘层上进一步形成第三导电层，并通过第七道光罩工序对所述第三导电层进行图案化，以在所述第一接触孔的位置形成所述源极图案和所述漏极图案；

所述在所述第二绝缘层上形成像素电极图案的步骤包括：

在所述第二绝缘层、所述源极图案和所述漏极图案上进一步形成第四导电层，并通过第八道光罩工序对所述第四导电层进行图案化，以形成所述像素电极图案。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成源极图案和漏极图案的步骤进一步包括：

通过第六道光罩工序在所述公共电极图案的对应位置形成第二接触孔；

通过第七道光罩工序对所述第三导电层进行图案化，以在所述第二接触孔的位置形成与所述公共电极图案电连接的导电图案。