[发明专利]包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极间隔物，限定沟槽并包括顺序地位于基板的顶表面上的第一部分和第二部分，所述第一部分的内表面具有相对于所述基板的所述顶表面的锐角倾角，所述第二部分的内表面具有相对于所述基板的所述顶表面的直角倾角或钝角倾角；

栅极电极，在所述沟槽的至少一部分中；

层间绝缘膜，在所述基板的所述顶表面上，

其中在与所述基板的所述顶表面平行的方向上，所述栅极间隔物的所述第一部分和所述第二部分都插设在所述栅极电极与所述层间绝缘膜之间，并且

所述栅极间隔物的所述第一部分和所述第二部分包括与所述层间绝缘膜相邻的外表面和与所述栅极电极相邻的内表面。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极间隔物的所述第一部分的所述内表面和所述栅极间隔物的所述第二部分的所述内表面具有连续的轮廓。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极间隔物还包括位于所述栅极间隔物的所述第二部分上的远离所述第一部分的第三部分，所述栅极间隔物的所述第三部分连接到所述栅极间隔物的所述第二部分。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述栅极间隔物的所述第二部分的内表面和所述栅极间隔物的所述第三部分的内表面具有不连续的轮廓。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其中在所述栅极间隔物的所述第二部分和所述栅极间隔物的所述第三部分之间的边界处，由所述栅极间隔物的所述第三部分限定的所述沟槽的宽度大于由所述栅极间隔物的所述第二部分限定的所述沟槽的宽度。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极间隔物的内表面具有离开所述基板顺序地设置的第一点、第二点和第三点，所述沟槽在所述第一点处的宽度大于所述沟槽在所述第二点处的宽度，所述沟槽在所述第三点处的宽度大于所述沟槽在所述第二点处的宽度。

7.如权利要求1所述的半导体器件，还包括沿所述沟槽的侧表面和底表面在所述基板和所述栅极电极之间延伸的栅极绝缘膜，

其中所述栅极电极包括在所述栅极绝缘膜上沿所述栅极绝缘膜延伸的下栅极电极和在所述下栅极电极上的上栅极电极。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极电极是置换金属栅极电极。

9.如权利要求1所述的半导体器件：

其中所述栅极电极包括下栅极电极和上栅极电极；

其中所述下栅极电极沿所述沟槽的底表面和部分侧表面延伸；并且

其中所述上栅极电极在所述下栅极电极上并具有与所述下栅极电极的最上面的表面共面的顶表面；

所述半导体器件还包括在所述下栅极电极和所述上栅极电极上的覆盖图案。

10.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

鳍型有源图案，突出到场绝缘膜上；

其中所述沟槽在所述鳍型有源图案上延伸并跨过所述鳍型有源图案；并且

其中所述栅极电极是填充所述沟槽的至少一部分的置换金属栅极电极。