[发明专利]一种CIGS太阳电池吸收层制备方法

权利要求书

1.一种CIGS太阳电池吸收层制备方法，其特征在于，将基底加热至250℃～350℃并保温，然后在基底上采用磁控溅射CuGa合金靶和In靶、或CuGa合金靶和CuIn合金靶、或CuInGa合金靶，同时采用硒离子束进行硒化反应，生成CIGS太阳电池吸收层。

2.如权利要求1所述的CIGS太阳电池吸收层制备方法，其特征在于，采用硒离子束进行硒化反应时，将离子源置于磁控靶旁边，H₂Se或Se蒸气与Ar气的混合气体通入离子源中形成硒离子束进行硒化反应。

3.如权利要求2所述的CIGS太阳电池吸收层制备方法，其特征在于，所述离子源混合气体中H₂Se或Se蒸汽所占质量比为40％～60％。

4.如权利要求1～3任意一项所述的CIGS太阳电池吸收层制备方法，其特征在于，在加热基底前，采用氩离子束轰击基底，对基底进行活化清洗。

5.如权利要求4所述的CIGS太阳电池吸收层制备方法，其特征在于，所述氩离子束活化清洗中，氩气流量为15～20sccm，离子束放电电压为280V，离子束电流为1A。

6.如权利要求1～4任意一项所述的CIGS太阳电池吸收层制备方法，其特征在于，所述基底为聚酰亚胺膜，膜厚为25～125微米。