[发明专利]形成级联纳米线的方法

权利要求书

1.一种形成级联纳米线的方法，包括：

步骤1、在衬底上形成硬掩膜图形；

步骤2、以硬掩膜图形为掩膜，对衬底执行刻蚀工艺，形成凹陷部和连接部；

步骤3、执行氧化工艺，在凹陷部和连接部以及衬底上形成保护层；

步骤4、循环多次执行步骤2和步骤3，相邻的连接部之间形成级联纳米线，其中每个步骤3中的氧化工艺消耗了衬底和突出部的材质使得级联纳米线的宽度小于硬掩膜图形的宽度；

步骤5、清洗并去除硬掩膜图形。

2.根据权利要求1的方法，其中，步骤2中刻蚀工艺进一步包括：

a1、去除衬底顶面的保护层；

a2、各向异性刻蚀形成具有垂直侧壁的沟槽；

a3、各向同性刻蚀形成凹陷部和突出部。

3.根据权利要求2的方法，其中，步骤a1采用碳氟基刻蚀气体进行等离子干法刻蚀，碳氟基气体选自CF₄、CHF₃。

4.根据权利要求2的方法，其中，步骤a2采用氯基或溴基刻蚀气体进行等离子体干法刻蚀，刻蚀气体包括HBr、Cl₂、Br₂、HCl、O₂及其组合。

5.根据权利要求2的方法，其中，步骤a3采用氟基刻蚀气体进行等离子体干法刻蚀，刻蚀气体选自NF₃、SF₆、F₂、COF₂。

6.根据权利要求2的方法，其中，步骤3采用氧化性气体或氮化性气体进行等离子体氧化工艺或氮化工艺，氧化性气体或氮化性气体包括O₂、O₃、N₂、N₂O、NO、NO₂及其组合。

7.根据权利要求2的方法，其中，各向异性和/或各向同性刻蚀工艺中刻蚀气体采用选自He、Ar或其组合的气体进行稀释。

8.根据权利要求1的方法，其中，步骤5采用DHF或BOE湿法腐蚀清洗。

9.根据权利要求2的方法，其中，形成级联纳米线的最顶层和/或最底层时，省略子步骤a3，由子步骤a1和a2形成具有垂直侧壁的突出部。