[发明专利]晶片封装体及其制作方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包含：

一封装基材；

一半导体元件，具有一中央区与围绕该中央区的一边缘区；以及

多个导电结构，位于该封装基材与该半导体元件之间，其中所述导电结构具有不同的高度，且所述导电结构的高度从该半导体元件的该中央区往该半导体元件的该边缘区逐渐增大，使得该半导体元件的该边缘区与该封装基材之间的距离大于该半导体元件的该中央区与该封装基材之间的距离。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，所述导电结构的俯视形状包含圆形、椭圆形、多边形或上述的组合。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该半导体元件具有一半导体基材，该半导体基材具有一焊垫与一镂空区，该焊垫从该镂空区裸露，该半导体元件还包含：

一绝缘层，位于该半导体基材朝向该封装基材的表面上及该半导体基材围绕该镂空区的表面上。

4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该半导体元件还包含：

一重布线层，位于该绝缘层上与该焊垫上。

5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，该半导体元件还包含：

一保护层，位于该重布线层上与该绝缘层上，且该保护层具有多个开口，使该重布线层从所述开口裸露。

6.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，所述导电结构分别位于所述开口中的该重布线层上。

7.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，所述开口的口径从该半导体元件的该中央区往该半导体元件的该边缘区逐渐减小。

8.一种晶片封装体的制作方法，其特征在于，包含：

a)于一半导体元件上形成不同高度的多个导电结构，其中所述导电结构的高度从该半导体元件的一中央区往该半导体元件的一边缘区逐渐增大；以及

b)于一封装基材上压合该半导体元件，使得该半导体元件被所述导电结构支撑而弯曲。

9.根据权利要求8所述的晶片封装体的制作方法，其中该步骤a)包含：

调整一印刷喷嘴的开口的口径，使一导电胶体从不同开口口径的该印刷喷嘴印刷至该半导体元件上，以形成具不同高度的所述导电结构。

10.根据权利要求8所述的晶片封装体的制作方法，其特征在于，还包含：

于该半导体元件的一重布线层上形成一保护层；以及

于该保护层形成不同口径的多个开口，其中所述开口的口径从该半导体元件的该中央区往该半导体元件的该边缘区逐渐减小。

11.根据权利要求10所述的晶片封装体的制作方法，其特征在于，该步骤a)包含：

于该保护层的所述开口中的该重布线层上放置所述导电结构。